オンウェーハId-Vd測定の実施方法

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MOSFETのId-Vd特性の測定

ウェハー上のId–Vd測定では、ゲート電圧を段階的に変化させながらドレイン・ソース間電圧を制御して掃引し、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の電流応答を観察する必要があります。測定システムには、高精度な電圧印加および電流測定を行うためのソース・メジャー・ユニットに加え、ウェハーレベルで被測定デバイスにアクセスするためのプローブステーション接続が含まれます。

特性評価プロセスでは、チャネルマッピングの設定、電圧掃引条件の定義、およびId–Vd曲線を取得するための自動測定の実行を行います。得られたデータを分析し、カットオフ領域、線形領域、飽和領域を特定するとともに、モデリングや検証に必要な主要なデバイス特性を抽出します。正確な結果を得るためには、適切なバイアス設定、安定したプロービング条件、および同期化された測定制御が不可欠です。

ウェハー上でのId-Vd測定ソリューション

ウェハー上のId–Vd測定を行うには、半導体デバイスにおける電圧スイープの精密な制御と正確な電流測定が必要です。本ソリューションは、半導体デバイスアナライザとEasyEXPERTソフトウェアを統合し、包括的なパラメトリックテスト環境を提供します。これにより、複数のゲート電圧にわたるId–Vdスイープの自動化、測定データのリアルタイム可視化、およびMOSFETの動作領域の特定が可能になります。 本システムは、ウェーハレベルでのアクセスを実現するプローブステーションとの統合に対応しており、ガイド付き測定シーケンスや事前設定済みのテストライブラリにより、セットアップを簡素化します。このアプローチにより、再現性の高い測定、効率的なテスト実行、そしてデバイス特性評価やモデリングのための信頼性の高いデータが保証されます。
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