如何表徵雪崩光電二極體的暗電流

飛安培計/皮安培計和靜電計
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測量突崩光二極體暗電流

突崩光二極體(APD)暗電流特性分析需要施加逆向偏壓,同時以足夠的靈敏度測量元件電流。受測元件在無入射光的情況下進行測試,且測量設定必須符合 APD 所需的逆向偏壓範圍。對於高電壓元件,電源供應器必須支援所需的逆向偏壓準位,同時安培計能夠解析微小的漏電流。

此測量是透過將 APD 連接至電壓源與安培計、進行逆向偏壓掃描,並記錄每個點上的電流來完成。此電源範例使用圖形化測量結果來檢查電流-電壓特性,在高偏壓區域附近會出現顯著的電流增加。測量延遲非常重要,因為雜散阻抗和介電吸收在電壓階躍後可能會產生暫態漏電流;在測量電流之前,延遲時間應足夠長,以便這些效應穩定下來。

雪崩光電二極體暗電流解決方案

突崩光二極體暗電流測試需要受控的逆向偏壓掃描、低電流測量,以及在電壓變更後有足夠的安定時間,以區分元件漏電流與測量路徑暫態。Keysight B2985C/87C 静電計/高電阻計結合了電壓源與安培計,因此可在同步測量電流的同時施加逆向偏壓。Keysight B2985C/87C 静電計/高電阻計提供 0.01 fA 的電流解析度、2 pA 至 20 mA 的電流測量範圍,以及高達 1,000 V 的電壓源供應,支援可能需要數百伏特的 APD 評估。

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