如何表徵雪崩光電二極體的暗電流

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測量雪崩光電二極體的暗電流

雪崩光電二極體（APD）的暗電流特性分析，需在施加反向偏壓的同時，以足夠的靈敏度測量元件電流。測試時不需入射光，且測量裝置必須能滿足 APD 所需的反向偏壓範圍。對於高電壓元件，電源必須能提供所需的反向偏壓電平，同時電流表須具備測量微小洩漏電流的分辨能力。

測量方法是將 APD 連接至電壓源和電流錶，掃描反向偏壓，並記錄各點的電流值。本範例透過圖形化的測量結果來分析電流-電壓特性，可觀察到在高偏壓區域附近，電流出現顯著增加。測量延遲至關重要，因為雜散阻抗和介電吸收會在電壓階躍後產生瞬態洩漏；延遲時間應足夠長，以確保在測量電流之前，這些效應已趨於穩定。

雪崩光電二極體暗電流解決方案

雪崩光電二極體的暗電流測試需要進行受控的反向偏壓掃描、低電流測量，以及在電壓變化後留有足夠的穩態時間，以區分元件洩漏電流與測量路徑的瞬態訊號。是德科技 (Keysight) B2985C/87C 電計 / 高阻計將電壓源與電流表結合，因此可在施加反向偏壓電壓的同時，同步進行電流測量。 Keysight B2985C/87C 電計／高阻計具備 0.01 fA 的電流解析度，電流測量範圍為 2 pA 至 20 mA，且可提供最高 1,000 V 的電壓源，足以支援可能需要數百伏特電壓的 APD 評估。
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