아발란치 포토다이오드의 암전류를 측정하는 방법

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애벌란시 포토다이오드 암전류 측정

애벌란시 포토다이오드(APD) 암전류 특성화를 수행하려면 충분한 감도로 디바이스 전류를 측정하는 동안 역방향 바이어스 전압을 인가해야 합니다. 디바이스는 입사광 없이 테스트되며, 측정 설정은 APD에 필요한 역방향 바이어스 범위를 수용해야 합니다. 고전압 디바이스의 경우, 전류계가 낮은 누설 전류를 해결하는 동안 소스가 필요한 역방향 바이어스 수준을 지원해야 합니다.

측정은 APD를 전압 소스와 전류계에 연결하고, 역방향 바이어스 전압을 스위프하며, 각 지점에서 전류를 기록하여 수행됩니다. 소스 예시에서는 그래픽 측정 결과를 사용하여 고바이어스 영역 근처에서 두드러진 전류 증가와 함께 전류-전압 동작을 검사합니다. 전압 스텝 후에 표유 임피던스와 유전체 흡수가 과도 누설을 발생시킬 수 있으므로 측정 지연이 중요합니다. 전류를 측정하기 전에 이러한 효과가 안정화되기에 충분할 정도로 지연 시간이 길어야 합니다.

아발란치 포토다이오드 암전류 해결 방안

애벌란시 포토다이오드 암전류 테스트를 수행하려면 제어된 역방향 바이어스 스위프, 저전류 측정, 그리고 전압 변경 후 디바이스 누설을 측정 경로 과도 현상과 분리하기 위한 충분한 안정화 시간이 필요합니다. 키사이트 B2985C/87C 일렉트로미터 / 고저항 미터는 전압 소스와 전류계를 결합하여 전류를 동기화하여 측정하는 동안 역방향 바이어스 전압을 인가할 수 있습니다. 키사이트 B2985C/87C 일렉트로미터 / 고저항 미터는 0.01 fA의 전류 분해능, 2 pA ~ 20 mA의 전류 측정 범위, 최대 1,000 V의 전압 소싱을 제공하여 수백 볼트가 필요할 수 있는 APD 평가를 지원합니다.
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