아발란치 포토다이오드의 암전류를 측정하는 방법

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아발란치 포토다이오드의 암전류 측정

아발란치 포토다이오드(APD)의 암전류 특성 분석을 위해서는 역방향 바이어스 전압을 인가하는 동시에 충분한 감도로 소자 전류를 측정해야 합니다. 소자는 입사광이 없는 상태에서 테스트되며, 측정 장치는 APD에 필요한 역방향 바이어스 범위를 수용할 수 있어야 합니다. 고전압 소자의 경우, 전류계로 낮은 누설 전류를 정밀하게 측정할 수 있도록 하면서도 소스가 필요한 역방향 바이어스 레벨을 지원해야 합니다.

측정은 APD를 전압원과 전류계에 연결하고, 역편향 전압을 스윕하며, 각 지점에서의 전류를 기록하는 방식으로 수행됩니다. 본 예제에서는 그래프 형태의 측정 결과를 통해 전류-전압 특성을 분석하며, 높은 편향 영역 근처에서 전류가 현저하게 증가하는 것을 확인할 수 있습니다. 전압 단계 변화 후 표면 임피던스와 유전체 흡수로 인해 과도 누설 전류가 발생할 수 있으므로 측정 지연 시간은 매우 중요합니다. 따라서 전류를 측정하기 전에 이러한 현상이 안정화될 수 있을 만큼 충분한 지연 시간을 확보해야 합니다.

아발란치 포토다이오드 암전류 해결 방안

아발란치 포토다이오드의 암전류 테스트를 수행하려면 제어된 역편향 스윕, 저전류 측정, 그리고 전압 변화 후 측정 경로의 과도 현상과 소자의 누설 전류를 구분할 수 있을 만큼 충분한 정착 시간이 필요합니다. 키사이트 B2985C/87C 전계계/고저항계는 전압 소스와 전류계를 결합하여, 전류를 동기식으로 측정하는 동안 역편향 전압을 인가할 수 있습니다. 키사이트 B2985C/87C 전류계/고저항계는 0.01 fA의 전류 분해능, 2 pA~20 mA의 전류 측정 범위, 최대 1,000 V의 전압 공급 기능을 제공하여 수백 볼트의 전압이 필요할 수 있는 APD 평가를 지원합니다.
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