- 概述
- 所有型號
- 支援
最佳化每一次評估的光學故障注入
雷射源是光學故障注入的核心，可提供用於在半導體元件內引發受控故障的能量。透過選擇適當的波長、功率位準、脈衝特性和光點大小，安全工程師可以針對特定的元件技術、攻擊面和評估目標進行測試。不同的雷射技術具有獨特的優勢，從快速的晶片級掃描和漏洞發現，到高度局部的故障注入與先進的根本原因調查。
針對不同的元件技術進行最佳化
平衡涵蓋範圍與精確度
產生精確且可重複的故障
支援先進的光學安全評估
實現廣泛的故障注入方法，從漏洞研究、對策驗證到以認證為導向的測試。
-
Wavelength
445 nm, 808 nm, 1064 nm, 532 nm, 980 nm
-
最高頻率
50 MHz 至 250 MHz
-
產品類型
Multimode fault injection laser, Diode pumped solid state fault injection laser, Single mode diode fault injection laser
-
Technology
Device Security
最受歡迎的配置
1064 nm 多模態錯誤注入雷射
532 nm 二極體泵浦固態錯誤注入雷射
980 nm 單模二極體錯誤注入雷射
服務與支援
透過精選支援方案以及優先回應與周轉時間，加速創新。
取得可預測的租賃式訂閱和完整的生命週期管理解決方案，讓您更快達成業務目標。
成為 KeysightCare 訂閱者，體驗更優質的服務，獲得承諾的技術回應及更多。
確保您的測試系統符合規格要求，並符合當地與全球標準。
透過內部講師指導的訓練和線上學習，快速進行量測。
下載 Keysight 軟體，或將您的軟體更新至最新版本。
常見問題
雷射源用於產生光學能量，以在半導體元件內引發受控的故障。它決定了關鍵的攻擊特性，包括波長、功率、光斑大小、脈衝持續時間和時間精度，這些都會影響故障注入評估的有效性。
不同的半導體技術、封裝類型和評估目標需要不同的雷射特性。某些雷射源經過最佳化，適用於整個晶片的快速漏洞發現，而另些則提供針對特定電路區域所需的精確度。
最佳的雷射源取決於幾個因素，包括：
- 元件技術
- 正面或背面存取
- 所需的攻擊精確度
- 所需的故障機制
- 安全評估目標
Keysight 裝置安全團隊可以協助您為目標元件識別最合適的波長和雷射技術。
波長會影響雷射能量與半導體材料的交互作用方式，以及其滲透到元件內部的深度。較短的波長通常會被吸收在較接近表面的地方，非常適合用於正面攻擊。較長的近紅外線波長可以更深入地穿透矽基板，從而支援背面攻擊方法。
為您的存取點和封裝類型選擇合適的波長，會直接影響瞄準精度、故障有效性以及整體的評估成功率。
正面攻擊以半導體晶粒的頂部表面為目標，金屬互連層和電路即位於該處。
背面攻擊透過晶粒下方的矽基板來針對元件。當正面的金屬層阻礙了對安全性關鍵電路的存取，或是由於封裝限制使得正面存取困難時，通常會優先採用這種方法。
適當的方法取決於半導體技術、封裝結構和評估目標。
多模雷射通常會產生較大的光斑大小和較高的光學功率，非常適合用於快速掃描、故障發現和廣泛的晶片特性分析。
單模雷射產生的光斑小得多且更為集中，能夠進行高度局部的故障注入以及對個別電路區域的詳細調查。
DPSS（二極體幫浦固態）雷射產生的脈衝具有高峰值功率和穩定的脈衝特性。它們通常用於需要一致的能量傳遞和高度可重複結果的先進故障注入任務，特別是在需要較強脈衝能量時。
光點尺寸決定了雷射所針對的元件區域。
較大的光點可以透過影響較廣的晶片區域來簡化漏洞發現和廣泛特性分析。較小的光點則能實現高度局部的故障注入，並更精確地針對個別電路元件。
許多評估會先從較大的光點尺寸開始，以識別敏感區域，然後再過渡到較小的光點尺寸，以隔離出導致觀察到之行為確切電路。
成功的故障注入通常取決於在非常特定的時刻（例如在特定的時脈週期或安全檢查期間）干擾元件。
具有短脈衝寬度、低時序抖動以及精確觸發至雷射延遲的雷射源，能讓工程師精確控制故障發生時間。這有助於提高攻擊的可重複性、重現成功的故障條件，並增加對評估結果的信心。
理想的雷射源取決於您的目標技術、評估目標以及所需的精確度水準。
有些使用者優先考慮廣泛的故障發現，而其他人則從一開始就需要高度局部的分析。常見的方法是先從較高功率的源和較大的光點尺寸開始以識別敏感區域，然後再轉向更聚焦的雷射源進行詳細調查和根本原因分析。
Keysight 裝置安全性團隊可以協助為您的評估推薦最適合的雷射源和系統組態。
是的。故障注入雷射的操作功率水準需要相應的雷射安全程序與設備。
Keysight 提供專門的安全解決方案，旨在與其雷射故障注入系統搭配使用。Keysight 裝置安全性團隊可以就適合您實驗室環境與評估設定的安全組態提供建議。