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レーザー光源は、光による故障注入の中核をなすものであり、半導体デバイス内に制御された故障を誘発するために必要なエネルギーを供給します。適切な波長、出力レベル、パルス特性、スポットサイズを選択することで、セキュリティエンジニアは特定のデバイス技術、攻撃対象領域、評価目標を的確に狙うことができます。さまざまなレーザー技術には、チップ全体を高速にスキャンして脆弱性を発見することから、極めて局所的な故障注入や高度な根本原因の調査に至るまで、それぞれ独自の利点があります。
脆弱性調査や対策の検証から、認証を目的としたテストに至るまで、幅広い障害注入手法に対応します。
Wavelength
445 nm, 808 nm, 1064 nm, 532 nm, 980 nm
最大周波数
50 MHz ~ 250 MHz
(SPD)N6700の製品タイプ
Multimode fault injection laser, Diode pumped solid state fault injection laser, Single mode diode fault injection laser
Technology
Device Security
DS1112A
DS1112Aは、故障注入用の1064 nm波長近赤外(NIR)マルチモードダイオードレーザーで、高出力定格と構成可能なパルス長を備えています。
DS1112A 1064 nm マルチモード・フォールトインジェクション・レーザーは、高出力のマルチモード・レーザーダイオードを採用しており、大きなスポットサイズとスポット内での十分な強度を備えたチップ表面の粗走査を可能にします。
DS1113A
DS1113A 532 nm ダイオード励起固体フォールトインジェクションレーザーは、高速かつ信頼性の高いトリガ動作を実現する緑色レーザーです。
DS1113A 532 nm ダイオード励起固体フォールトインジェクションレーザーは、ダイオードレーザーを補完するものであり、レーザーカッターシステムと比較して、より優れたフォールトインジェクション機能を備えています。
DS1115A
DS1115Aシングルモードレーザーは、小さなスポットサイズと最大限のタイミング制御を提供します。薄い基板にはこの980 nmモデルを使用してください。
このシングルモードレーザーは、スポットサイズを1 µmまで小さくしたい場合に最適なソリューションです。ダイオードレーザーは最高のタイミング制御を実現し、ファイバーを使用することで、レーザー故障注入のセットアップにおいて最大限の柔軟性が得られます。モデルDS1115A(980 nm)は、スマートカードチップなど、基板が薄いデバイスに最適です。
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KeysightCareのサブスクライバーとして、コミットされた技術サポートなど、より質の高いサービスをご体験ください。
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レーザー光源は、半導体デバイス内に制御された欠陥を誘起するために使用される光エネルギーを発生させます。この光源は、波長、出力、スポットサイズ、パルス幅、タイミング精度といった主要な攻撃特性を決定するものであり、これらはいずれも欠陥注入評価の有効性に影響を及ぼします。
半導体技術、パッケージの種類、評価目的が異なれば、求められるレーザーの特性も異なります。チップ全体にわたって脆弱性を迅速に発見するために最適化されたレーザー光源もあれば、特定の回路領域をターゲットにするために必要な精度を備えたものもあります。
最適なレーザー光源は、以下のようないくつかの要因によって決まります:
キーサイトのデバイスセキュリティチームは、お客様の対象デバイスに最適な波長やレーザー技術の選定をお手伝いいたします。
波長は、レーザーエネルギーが半導体材料とどのように相互作用するか、またデバイス内にどの程度深く浸透するかに影響を与えます。波長が短いほど、通常は表面に近い場所で吸収されるため、表面攻撃に適しています。一方、波長の長い近赤外光はシリコンのより深い部分まで浸透できるため、裏面攻撃の手法が可能になります。
アクセスポイントやパッケージの種類に応じて適切な波長を選択することは、標的の精度、障害の有効性、および評価全体の成功に直接影響します。
フロントサイド攻撃は、金属配線層や回路が配置されている半導体ダイの上面を標的とする。
バックサイド攻撃は、ダイの下側からシリコン基板を介してデバイスを標的とします。この手法は、フロントサイドの金属層がセキュリティ上重要な回路へのアクセスを妨げている場合や、パッケージの制約によりフロントサイドからのアクセスが困難な場合に、しばしば採用されます。
適切なアプローチは、半導体技術、パッケージ構造、および評価目的に依存します。
マルチモードレーザーは、一般的にスポットサイズが大きく、光出力も高いため、高速スキャン、欠陥検出、およびチップの広範囲にわたる特性評価に最適です。
シングルモードレーザーは、はるかに小さく、より集束されたスポットを生成するため、極めて局所的な故障注入が可能となり、個々の回路領域を詳細に調査することができます。
DPSS(ダイオード励起固体)レーザーは、高いピーク出力と安定したパルス特性を備えたパルスを発生させます。このレーザーは、一貫したエネルギー供給と高い再現性が求められる高度な故障注入試験、特に強力なパルスエネルギーが必要な場合に広く使用されています。
スポットサイズは、レーザーが照射されるデバイスの領域を決定します。
スポットを大きくすると、チップのより広い領域に影響を与えることで、脆弱性の発見や大まかな特性評価を簡略化できます。一方、スポットを小さくすると、極めて局所的な故障注入が可能になり、個々の回路素子に対してより正確にターゲットを絞ることができます。
多くの評価では、まずスポットサイズを大きくして感度の高い領域を特定し、その後、スポットサイズを小さくして、観察された挙動の原因となっている正確な回路を特定します。
フォールト注入を成功させるには、特定のクロックサイクルやセキュリティチェック中など、極めて特定のタイミングでデバイスに干渉することが重要な場合が多い。
パルス幅が短く、タイミングジッタが小さく、トリガーからレーザー発振までの遅延が正確に制御できるレーザー光源を使用することで、エンジニアは故障が発生するタイミングを正確に制御することができます。これにより、アタックの再現性が向上し、正常な故障条件を再現しやすくなり、評価結果に対する信頼性が高まります。
最適なレーザー光源は、対象となる技術、評価の目的、および求められる精度レベルによって異なります。
ユーザーによっては、広範囲にわたる不具合の検出を優先する一方、最初から極めて局所的な分析を必要とするユーザーもいます。一般的なアプローチとしては、まず高出力かつスポットサイズの大きい光源を用いて感応性の高い領域を特定し、その後、より集束度の高いレーザー光源に切り替えて、詳細な調査や根本原因の分析を行うというものです。
キーサイトのデバイスセキュリティチームは、お客様の評価に最適なレーザー光源およびシステム構成をご提案いたします。
はい。フォールトインジェクションレーザーは、適切なレーザー安全手順や設備を必要とする出力レベルで動作する可能性があります。
キーサイトは、同社のレーザー故障注入システムと連携して動作するように設計された専用の安全ソリューションを提供しています。キーサイトのデバイスセキュリティチームは、お客様の実験室環境や評価セットアップに適した安全設定についてアドバイスいたします。