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Las fuentes láser constituyen el núcleo de la inyección óptica de fallos, ya que proporcionan la energía necesaria para inducir fallos controlados en los dispositivos semiconductores. Al seleccionar la longitud de onda, el nivel de potencia, las características del pulso y el tamaño del punto adecuados, los ingenieros de seguridad pueden centrarse en tecnologías de dispositivos, superficies de ataque y objetivos de evaluación específicos. Las diferentes tecnologías láser ofrecen ventajas únicas, que van desde el escaneo rápido de todo el chip y la detección de vulnerabilidades hasta la inyección de fallos altamente localizada y la investigación avanzada de las causas fundamentales.
Permite aplicar una amplia gama de metodologías de inyección de fallos, desde la investigación de vulnerabilidades y la validación de contramedidas hasta las pruebas orientadas a la certificación.
Wavelength
445 nm, 808 nm, 1064 nm, 532 nm, 980 nm
Maximum frequency
50 MHz to 250 MHz
Product type
Multimode fault injection laser, Diode pumped solid state fault injection laser, Single mode diode fault injection laser
Technology
Device Security
DS1112A
El DS1112A es un láser de diodo multimodo de infrarrojo cercano (NIR) con una longitud de onda de 1064 nm, diseñado para la inyección de fallos, que ofrece una alta potencia nominal y una duración de pulso configurable.
El láser de inyección de fallos multimodo DS1112A de 1064 nm utiliza diodos láser multimodo de alta potencia, lo que permite un barrido aproximado de la superficie del chip con un tamaño de punto grande y una intensidad suficiente dentro del mismo.
DS1113A
El láser de inyección de fallos de estado sólido bombeado por diodo DS1113A de 532 nm es un láser verde que ofrece un disparo rápido y fiable.
El láser de inyección de fallos de estado sólido bombeado por diodos DS1113A de 532 nm complementa a los láseres de diodo y ofrece mejores prestaciones de inyección de fallos en comparación con los sistemas de corte por láser.
DS1115A
El láser monomodo DS1115A ofrece un tamaño de punto reducido y un control de sincronización óptimo. Utilice este modelo de 980 nm para sustratos más finos.
Este láser monomodo es la mejor solución para obtener un tamaño de punto reducido (hasta 1 µm). Los láseres de diodo ofrecen un control temporal óptimo, y las fibras permiten la máxima flexibilidad en la configuración de la inyección de fallos del láser. El modelo DS1115A (980 nm) es ideal para dispositivos con sustratos más finos, como los chips de tarjetas inteligentes.
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Una fuente láser genera la energía óptica que se utiliza para inducir fallos controlados en un dispositivo semiconductor. Determina las características clave del ataque, entre las que se incluyen la longitud de onda, la potencia, el tamaño del punto, la duración del pulso y la precisión temporal, todas ellas factores que influyen en la eficacia de una evaluación mediante inyección de fallos.
Las diferentes tecnologías de semiconductores, tipos de encapsulado y objetivos de evaluación requieren características de láser distintas. Algunas fuentes láser están optimizadas para la detección rápida de vulnerabilidades en todo el chip, mientras que otras proporcionan la precisión necesaria para centrarse en regiones específicas del circuito.
La fuente láser óptima depende de varios factores, entre los que se incluyen:
El equipo de seguridad de dispositivos de Keysight puede ayudarte a identificar la longitud de onda y la tecnología láser más adecuadas para tu dispositivo objetivo.
La longitud de onda influye en la forma en que la energía láser interactúa con los materiales semiconductores y en la profundidad a la que penetra en el dispositivo. Las longitudes de onda más cortas suelen absorberse más cerca de la superficie, por lo que resultan muy adecuadas para los ataques por la cara frontal. Las longitudes de onda más largas, del infrarrojo cercano, pueden penetrar más profundamente en el silicio, lo que permite aplicar metodologías de ataque por la cara posterior.
La selección de la longitud de onda adecuada para tu punto de acceso y tipo de paquete influye directamente en la precisión de la selección de objetivos, la eficacia en la detección de fallos y el éxito general de la evaluación.
Los ataques frontales se dirigen a la superficie superior del chip semiconductor, donde se encuentran las capas metálicas de interconexión y los circuitos.
Los ataques por la parte posterior tienen como objetivo el dispositivo a través del sustrato de silicio desde debajo del chip. Este método suele ser el preferido cuando las capas metálicas de la parte frontal obstaculizan el acceso a circuitos críticos para la seguridad o cuando las limitaciones del encapsulado dificultan el acceso por la parte frontal.
El enfoque adecuado depende de la tecnología de semiconductores, el diseño del encapsulado y los objetivos de evaluación.
Los láseres multimodo suelen producir puntos de mayor tamaño y una potencia óptica más elevada, lo que los hace idóneos para el escaneo rápido, la detección de fallos y la caracterización general de chips.
Los láseres monomodo generan puntos mucho más pequeños y concentrados, lo que permite una inyección de fallos muy localizada y un análisis detallado de regiones concretas del circuito.
Los láseres DPSS (de estado sólido bombeados por diodos) generan pulsos con una potencia máxima elevada y características de pulso estables. Se utilizan habitualmente en campañas avanzadas de inyección de fallos que requieren un suministro de energía constante y resultados altamente repetibles, especialmente cuando se necesita una energía de pulso más intensa.
El tamaño del punto determina el área del dispositivo sobre la que incide el láser.
Un punto más grande puede simplificar la detección de vulnerabilidades y su caracterización general, ya que afecta a una zona más amplia del chip. Un punto más pequeño permite una inyección de fallos muy localizada y una selección más precisa de elementos individuales del circuito.
Muchas evaluaciones comienzan con un tamaño de punto mayor para identificar las regiones sensibles y, a continuación, pasan a un tamaño de punto menor para aislar los circuitos exactos responsables del comportamiento observado.
Para que la inyección de fallos tenga éxito, a menudo es necesario provocar una perturbación en un dispositivo en un momento muy concreto, como durante un ciclo de reloj determinado o una comprobación de seguridad.
Las fuentes láser con pulsos de corta duración, baja fluctuación temporal y retrasos precisos entre el disparo y el láser permiten a los ingenieros controlar con exactitud cuándo se produce un fallo. Esto mejora la repetibilidad del ataque, ayuda a reproducir con éxito las condiciones de fallo y aumenta la fiabilidad de los resultados de la evaluación.
La fuente láser ideal depende de la tecnología de destino, los objetivos de evaluación y el nivel de precisión requerido.
Algunos usuarios dan prioridad a la detección general de fallos, mientras que otros necesitan un análisis muy localizado desde el principio. Un enfoque habitual consiste en comenzar con una fuente de mayor potencia y un tamaño de punto más grande para identificar las zonas sensibles, para luego pasar a una fuente láser más focalizada con el fin de realizar una investigación detallada y un análisis de la causa raíz.
El equipo de seguridad de dispositivos de Keysight puede ayudarle a elegir la fuente láser y la configuración del sistema más adecuadas para su evaluación.
Sí. Los láseres de inyección de fallos pueden funcionar a niveles de potencia que requieren procedimientos y equipos de seguridad láser adecuados.
Keysight ofrece soluciones de seguridad específicas diseñadas para funcionar junto con sus sistemas de inyección de fallos láser. El equipo de seguridad de dispositivos de Keysight puede asesorarle sobre la configuración de seguridad adecuada para el entorno de su laboratorio y su configuración de evaluación.