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레이저 소스는 광학 결함 주입의 핵심으로, 반도체 디바이스 내에 제어된 결함을 유발하는 데 사용되는 에너지를 제공합니다. 보안 엔지니어는 적절한 파장, 전력 레벨, 펄스 특성 및 스폿 크기를 선택하여 특정 디바이스 기술, 공격 표면 및 평가 목표를 타겟팅할 수 있습니다. 다양한 레이저 기술은 빠른 칩 전체 스캔 및 취약성 발견부터 고도로 국소화된 결함 주입 및 고급 근본 원인 조사에 이르기까지 고유한 이점을 제공합니다.
취약성 연구 및 대책 검증부터 인증 중심 테스트에 이르기까지 광범위한 결함 주입 방법론을 지원합니다.
Wavelength
445 nm, 808 nm, 1064 nm, 532 nm, 980 nm
Maximum frequency
50 MHz ~ 250 MHz
Product type
Multimode fault injection laser, Diode pumped solid state fault injection laser, Single mode diode fault injection laser
Technology
Device Security
DS1112A
DS1112A는 고출력 및 구성 가능한 펄스 길이를 제공하는 결함 주입용 1064nm 파장 근적외선(NIR) 멀티모드 다이오드 레이저입니다.
DS1112A 1064nm 멀티모드 결함 주입 레이저는 고출력 멀티모드 레이저 다이오드를 사용하여 큰 스폿 크기와 스폿 내 충분한 강도로 거친 칩 표면 스캔이 가능합니다.
DS1113A
DS1113A 532 nm 다이오드 펌핑 고체 결함 주입 레이저는 빠르고 안정적인 트리거링을 제공하는 녹색 레이저입니다.
DS1113A 532 nm 다이오드 펌핑 고체 결함 주입 레이저는 다이오드 레이저를 보완하며 레이저 커터 시스템에 비해 더 나은 결함 주입 기능을 자랑합니다.
DS1115A
DS1115A 단일 모드 레이저는 작은 스폿 크기와 최대 타이밍 제어를 제공합니다. 더 얇은 기판에는 이 980nm 모델을 사용하십시오.
이 단일모드 레이저는 작은 스팟 크기(1 µm까지)를 구현하는 데 가장 적합한 솔루션입니다. 다이오드 레이저는 최대의 타이밍 제어 기능을 제공하며, 광섬유를 사용하면 레이저 결함 주입 설정에서 유연성을 극대화할 수 있습니다. 모델 DS1115A(980 nm)는 스마트 카드 칩과 같이 기판이 얇은 디바이스에 이상적입니다.
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레이저원은 반도체 디바이스 내에서 제어된 결함을 유발하는 데 사용되는 광 에너지를 생성합니다. 파장, 전력, 스팟 크기, 펄스 지속 시간, 타이밍 정밀도를 포함한 주요 공격 특성을 결정하며, 이 모든 요소는 결함 주입 평가의 효과에 영향을 미칩니다.
반도체 기술, 패키지 유형, 평가 목적에 따라 서로 다른 레이저 특성이 요구됩니다. 일부 레이저원은 칩 전체에서 빠른 취약점 발견에 최적화되어 있는 반면, 다른 레이저원은 특정 회로 영역을 타겟팅하는 데 필요한 정밀도를 제공합니다.
최적의 레이저원은 다음을 포함한 여러 요인에 따라 달라집니다.
키사이트 디바이스 보안(Device Security) 팀은 타겟 디바이스에 가장 적합한 파장과 레이저 기술을 식별하는 데 도움을 드릴 수 있습니다.
파장은 레이저 에너지가 반도체 재료와 상호 작용하는 방식과 디바이스 내부로 침투하는 깊이에 영향을 줍니다. 짧은 파장은 일반적으로 표면에 더 가깝게 흡수되므로 전면 공격에 적합합니다. 더 긴 근적외선 파장은 실리콘 내부 깊숙이 침투할 수 있으므로 후면 공격 방법론을 구현할 수 있습니다.
액세스 포인트와 패키지 유형에 적절한 파장을 선택하면 타겟팅 정확도, 결함 효과 및 전체 평가 성공률에 직접적인 영향을 미칩니다.
전면 공격은 금속 상호 연결 레이어와 회로가 위치한 반도체 다이의 상단 표면을 대상으로 합니다.
후면 공격은 다이 아래쪽의 실리콘 기판을 통해 디바이스를 대상으로 합니다. 이 접근 방식은 전면 금속 레이어로 인해 보안에 민감한 회로에 접근하기 어렵거나 패키지 제약으로 인해 전면 접근이 어려운 경우에 주로 선호됩니다.
적절한 접근 방식은 반도체 기술, 패키지 구조 및 평가 목적에 따라 다릅니다.
멀티모드 레이저는 일반적으로 더 큰 스폿 크기와 더 높은 광학 출력을 생성하므로 빠른 스캔, 결함 발견 및 광범위한 칩 특성화에 적합합니다.
싱글모드 레이저는 훨씬 더 작고 집중된 스폿을 생성하여 고도로 국부적인 결함 주입과 개별 회로 영역에 대한 상세한 조사를 가능하게 합니다.
DPSS(다이오드 펌프 고체) 레이저는 높은 피크 전력과 안정적인 펄스 특성을 가진 펄스를 생성합니다. 이 레이저는 일관된 에너지 전달과 높은 재현성의 결과가 필요한 고급 결함 주입 캠페인에 일반적으로 사용되며, 특히 더 강한 펄스 에너지가 필요할 때 유용합니다.
스폿 크기는 레이저가 타겟으로 삼는 디바이스의 영역을 결정합니다.
스폿이 크면 칩의 더 넓은 영역에 영향을 미쳐 취약점 발견과 광범위한 특성화를 단순화할 수 있습니다. 스폿이 작으면 고도로 국부적인 결함 주입과 개별 회로 요소에 대한 더 정밀한 타겟팅이 가능합니다.
많은 평가는 더 큰 스폿 크기로 민감한 영역을 식별한 다음, 더 작은 스폿 크기로 전환하여 관찰된 동작의 원인이 되는 정확한 회로를 격리하는 방식으로 시작됩니다.
성공적인 결함 주입은 종종 특정 클록 주기나 보안 검사 중과 같이 매우 특정한 순간에 디바이스에 교란을 주는 것에 좌우됩니다.
짧은 펄스 폭, 낮은 타이밍 지터, 정밀한 트리거 대 레이저 지연 시간을 가진 레이저 소스를 통해 엔지니어가 결함 발생 시점을 정확하게 제어할 수 있습니다. 이를 통해 공격 재현성이 향상되고, 성공적인 결함 조건을 재현하는 데 도움이 되며, 평가 결과에 대한 신뢰도가 높아집니다.
이상적인 레이저 소스는 대상 기술, 평가 목표 및 필요한 정밀도 수준에 따라 다릅니다.
일부 사용자는 광범위한 결함 발견을 우선시하는 반면, 다른 사용자는 처음부터 고도로 국부적인 분석이 필요합니다. 일반적인 접근 방식은 더 높은 전력 소스와 더 큰 스폿 크기로 시작하여 민감한 영역을 식별한 다음, 상세한 조사와 근본 원인 분석을 위해 더 집중된 레이저 소스로 이동하는 것입니다.
키사이트 디바이스 보안 팀은 평가에 가장 적합한 레이저 소스 및 시스템 구성을 추천해 드릴 수 있습니다.
예. 결함 주입 레이저는 적절한 레이저 안전 절차와 장비가 필요한 전력 수준에서 작동할 수 있습니다.
키사이트는 레이저 결함 주입 시스템과 함께 작동하도록 설계된 전용 안전 솔루션을 제공합니다. 키사이트 디바이스 보안 팀은 실험실 환경 및 평가 설정에 적합한 안전 구성에 대해 조언해 드릴 수 있습니다.