如何評估安全晶片中的電磁洩漏

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精準定位電磁洩漏熱點

電磁洩漏評估需在安全晶片於可重複的時序與觸發條件下執行受控加密運算的同時，掃描其近場輻射。此工作流程整合了裝置控制、觸發、探針定位、訊號擷取及分析等步驟，使評估人員能夠觀察在主動處理過程中，攜帶資訊的輻射於晶片或封裝的哪些位置及何時出現。

工程師通常會檢視多次採集數據所測得的行為表現，比較不同運作條件下的活動狀況，並隔離出與敏感操作相關的空間或頻譜區域。所得數據有助於區分一般開關雜訊與洩漏熱點，並支援針對安全關鍵型矽晶片的實作審查、屏蔽評估及反制措施調校。

安全晶片電磁洩漏解決方案

電磁洩漏評估需要在擷取近場輻射的同時，以受控方式執行安全裝置，並對其進行關聯分析與檢視，以找出與敏感處理相關的模式。是德科技（Keysight）的側通道分析解決方案，透過利用功率與電磁輻射進行資料擷取、觸發、對準、訊號處理及密碼分析，協助工程師評估嵌入式裝置、晶片及智慧卡。 此工作流程反映了常見的側通道攻擊模式與安全編程實務，協助工程師定位洩漏熱點、比較實作行為，並在安全關鍵的晶片設計中降低可觀測的洩漏。
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