如何評估安全晶片中的電磁洩漏

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精準定位電磁洩漏熱點

電磁洩漏評估需要在可重複的時序和觸發條件下，掃描近場輻射，同時安全晶片執行受控的加密操作。此工作流程結合了設備控制、觸發、探棒定位、訊號擷取和分析，以便評估人員能夠觀察在主動處理期間，晶片或封裝上何處以及何時出現帶有資訊的輻射。

工程師通常會檢視多次擷取後的量測行為，比較不同操作條件下的活動，並隔離與敏感操作相關的空間或頻譜區域。所產生的資料有助於區分一般開關雜訊與洩漏熱點，並支援對安全性關鍵矽晶片的實作審查、遮罩評估和對策調整。

安全晶片電磁洩漏解決方案

電磁洩漏評估需要對安全設備進行受控執行，同時擷取、關聯並檢視與敏感處理相關的近場輻射模式。Keysight 的旁通道分析解決方案透過擷取、觸發、對齊、訊號處理和密碼分析，利用功率和電磁輻射，協助工程師評估嵌入式設備、晶片和智慧卡。此工作流程反映了常見的旁通道攻擊模式和安全編程實踐，支援需要定位洩漏熱點、比較實作行為並減少安全性關鍵晶片設計中可觀察洩漏的工程師。
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