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Wie man elektromagnetische Leckströme in Sicherheitschips bewertet

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+ Seitenkanalanalyse

Punktgenaue Lokalisierung von EM-Leckagestellen

Die Bewertung elektromagnetischer Leckströme erfordert die Messung von Nahfeldemissionen, während ein sicherer Chip unter reproduzierbaren Zeit- und Triggerbedingungen kontrollierte kryptografische Operationen ausführt. Der Arbeitsablauf kombiniert Gerätesteuerung, Triggerung, Sondenpositionierung, Signalerfassung und -analyse, sodass die Prüfer beobachten können, wo und wann informationshaltige Emissionen während der aktiven Verarbeitung auf dem Chip oder im Gehäuse auftreten.

Ingenieure analysieren typischerweise das gemessene Verhalten über mehrere Messungen hinweg, vergleichen die Aktivität unter verschiedenen Betriebsbedingungen und identifizieren räumliche oder spektrale Bereiche, die mit sensiblen Vorgängen korrelieren. Die gewonnenen Daten helfen, allgemeines Schaltrauschen von Leckstrom-Hotspots zu unterscheiden und unterstützen die Überprüfung der Implementierung, die Bewertung der Abschirmung und die Optimierung von Gegenmaßnahmen für sicherheitskritische Siliziumchips.

Lösung gegen EM-Leckagen durch sichere Chips

Die Bewertung elektromagnetischer Leckagen erfordert den kontrollierten Betrieb eines sicheren Geräts, während Nahfeldemissionen erfasst, korreliert und auf Muster hin analysiert werden, die mit sensiblen Verarbeitungsprozessen in Verbindung stehen. Die Side Channel Analysis-Lösung von Keysight unterstützt Ingenieure bei der Bewertung eingebetteter Systeme, Chips und Smartcards durch Erfassung, Triggerung, Ausrichtung, Signalverarbeitung und kryptanalytische Analyse mittels Leistungs- und elektromagnetischer Emissionen. Der Workflow berücksichtigt gängige Seitenkanalangriffsmuster und sichere Programmierpraktiken und unterstützt Ingenieure bei der Lokalisierung von Leckage-Hotspots, dem Vergleich des Implementierungsverhaltens und der Reduzierung beobachtbarer Leckagen in sicherheitskritischen Chipdesigns.

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