セキュアチップにおける電磁漏洩の評価方法

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EM漏洩ホットスポットを特定

電磁漏洩評価では、セキュアチップが再現性のあるタイミングおよびトリガ条件の下で制御された暗号操作を実行中に、近傍界エミッションをスキャンする必要があります。このワークフローは、デバイス制御、トリガ、プローブ位置決め、信号捕捉、および解析を組み合わせることで、評価者がアクティブ処理中にチップまたはパッケージ全体で情報を含むエミッションがどこでいつ現れるかを観察できるようにします。

エンジニアは通常、複数の捕捉にわたる測定挙動をレビューし、異なる動作条件下でのアクティビティを比較し、機密性の高い操作と相関する空間的またはスペクトル的な領域を分離します。結果として得られるデータは、一般的なスイッチングノイズと漏洩ホットスポットを区別するのに役立ち、セキュリティ上重要なシリコンの実装レビュー、シールド評価、および対策の調整をサポートします。

セキュアチップの電磁漏洩対策

電磁漏洩評価では、機密性の高い処理に関連するパターンについて近傍界エミッションが捕捉、相関付け、レビューされる間に、セキュアデバイスの制御された実行が必要です。キーサイトのサイドチャネル解析ソリューションは、電力および電磁エミッションを使用した捕捉、トリガ、アライメント、信号処理、および暗号解析を通じて、エンジニアが組み込みデバイス、チップ、スマートカードを評価するのに役立ちます。このワークフローは、一般的なサイドチャネル攻撃パターンとセキュアプログラミングプラクティスを反映しており、セキュリティ上重要なチップ設計において、漏洩ホットスポットを特定し、実装挙動を比較し、観測可能な漏洩を低減する必要があるエンジニアをサポートします。
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セキュアチップにおける電磁漏洩の評価

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