セキュアチップにおける電磁漏洩の評価方法

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EM漏れのホットスポットを正確に特定する

電磁漏洩の評価には、セキュアチップが再現性のあるタイミングおよびトリガー条件下で制御された暗号処理を実行している間に、近距離場の放射をスキャンする必要があります。このワークフローでは、デバイスの制御、トリガーの発生、プローブの位置決め、信号の取得、および解析が統合されており、評価担当者は、アクティブな処理中にチップやパッケージ全体で、情報を含む放射がどこで、いつ発生するかを観察することができます。

エンジニアは通常、複数の計測データにわたる測定挙動を検証し、異なる動作条件下での挙動を比較し、重要な動作と相関する空間的またはスペクトル的な領域を特定します。こうして得られたデータは、一般的なスイッチングノイズとリーク電流のホットスポットを区別するのに役立ち、セキュリティ上重要なシリコンデバイスにおける実装の検証、シールド評価、および対策の調整を支援します。

セキュアチップの電磁漏洩対策

電磁リーク評価では、近距離電磁放射を捕捉・相関付け・検証し、機密性の高い処理に関連するパターンを特定しながら、セキュアなデバイスを制御下で動作させる必要があります。キーサイトのサイドチャネル解析ソリューションは、電力および電磁放射を利用した取得、トリガ、アライメント、信号処理、暗号解析を通じて、エンジニアが組み込みデバイス、チップ、スマートカードを評価するのを支援します。 このワークフローは、一般的なサイドチャネル攻撃のパターンやセキュアなプログラミング手法を反映しており、セキュリティ上重要なチップ設計において、漏洩のホットスポットを特定し、実装の挙動を比較し、観測可能な漏洩を低減する必要があるエンジニアを支援します。
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セキュアチップにおける電磁漏洩の評価

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