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車用功率電子元件測試
準確量測並分析您的功率電子元件
打造高效率的車用功率電子元件
為了推動動力傳動和其他汽車子系統的電氣化，全球汽車製造商相繼使用高功率電子元件，以實現電動交通願景。 這些功率轉換器必須在惡劣環境中運作，例如不間斷的機械振動、高雜訊和寬廣的溫度範圍。 為因應世界各國對於減少碳排放量日益嚴苛的要求，電動車（EV）和油電混合車（HEV）市場銷量開始起飛，使得汽車產業亟需碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等各種全新的半導體技術。 更快的切換速度、更高的電壓，以及更寬的溫度範圍，使得工程師在分析這些新技術並進行建模時，面臨了前所未有的設計和測試挑戰。 了解是德科技領先業界的汽車解決方案，如何協助您提供更安全、更高效能的功率電子產品（從元件到系統）。
雙脈衝測試
電動車對絕緣閘雙極電晶體（IGBT）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）半導體的需求日益升高。 您需進行靜態和動態量測，以便準確地分析這些元件的特性。 雙脈衝測試方法是功率元件動態特性分析的既定產業標準。
測試寬能隙（WBG）功率模組
Keysight PD1550A 先進動態功率元件分析儀/雙脈衝測試儀可對寬能隙功率模組，進行可重複、可靠的量測，同時還即將推出用於測試離散元件的選項。 這套現成的量測系統是統包式量測解決方案，可提供值得信賴、快速可靠的測試結果，並確保安全的測試環境，進而縮短產品上市時間。 其模組化硬體設計和軟體更新功能，可確保您的研發團隊能隨著技術的快速演進，持續進行測試。 立即使用 PD1500A 動態功率元件分析儀/雙脈衝測試儀解決方案，親自體驗雙脈衝測試的強大威力。
分析 WBG 離散元件的特性
Keysight PD1500A 動態功率元件分析儀/雙脈衝測試儀可對離散寬能隙半導體，進行可靠、可重複的量測。 和 Keysight PD1550A 一樣，PD1500A 是體積輕巧的現成統包式量測解決方案。 該平台可快速提供值得信賴的結果，並確保安全的測試環境，進而縮短產品上市時間。
探索是德科技雙脈衝測試程式庫，以獲得更多資訊
評估車用 WBG 功率元件的靜態特性
為了將車用功率電子產品的效能最大化，您需為各種應用選擇合適的功率半導體元件。 Keysight B1506A 功率元件分析儀適用於電路設計，是分析 WBG 元件靜態特性的理想解決方案。
它可評估各種操作條件下所有相關元件參數：例如 IV 參數（擊穿電壓和導通電阻）、三端場效電晶體（FET）電容、閘極電荷，以及功率損耗。
切換式電源供應器設計
隨著碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）功率元件等寬能隙半導體問世，切換式電源供應器（SMPS）設計正持續演進。 傳統的布局前模擬程式（SPICE）已無法滿足您的需求，因此在設計這類電源供應器時，您需使用現代化電路設計工具。 SPICE 無法解決布局寄生效應所導致的電壓尖峰和電磁（EM）干擾問題。
您需要加入布局後 EMI 電路協同模擬階段的新工作流程，才能找出問題並進行修正。 Keysight PathWave 先進設計系統（ADS）和 Power Electronics Pro（PEPro）軟體，可在您開始製作第一個原型之前，模擬布局寄生效應。
快速交付準確的 SPICE 模型
半導體產業持續各種挑戰，包括充分發揮產品效能、有效提高良率、縮短新產品上市時間，並且降低生產成本。
最新版的 PathWave 元件建模（IC-CAP）軟體提供重新設計的操作介面，進一步提高了易用性，讓您能在更短的時間內萃取出更多模型。 它還支援 Python 3、整合式繪圖功能，並透過連結啟動客製化安裝。 是德科技還提供金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）、雙極接合電晶體（BJT）、絕緣閘雙極電晶體（IGBT）、碳化矽（SIC）、氮化鎵（GaN）的萃取流程。
檢測車用 MCU 和 FPGA 中的異常波形
電動車的關鍵功能使用無數的微控制器單元（MCU）和現場可編程輯閘陣列（FPGA）單元。 如果這些元件故障，可能危及生命安全，對企業造成負面影響，例如大規模產品召回。 Keysight CX3300A 元件電流波形分析儀和異常波形分析軟體，可快速偵測並分析 MCU 和 FPGA 中的異常信號，以便快速修正硬體、韌體和軟體缺陷。
現在購買 CX3300 應用軟體套件，可享 15% 優惠折扣，以便用於功能強大的波形分析儀。
更多支援未來交通的測試解決方案
車用功率電子元件常見問答集
什麼是車用功率電子元件？
車用功率電子元件指的是二極體、絕緣閘雙極電晶體（IGBT）、MOSFET，以及較新的碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等元件。
汽車中的車用功率元件有什麼作用？
車用功率元件可控制和轉換各種汽車應用使用的電力，例如車身電子系統、資訊娛樂與車載資通訊系統、安全防護、底盤，以及越來越多的電動車（EV）動力傳動系統。
什麼是寬能隙元件？
寬能隙（WBG）元件是基於碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的功率半導體，用於現代功率轉換器設計。
為什麼 GaN 和 SiC WBG 元件如此受歡迎？
GaN 和 SiC WBG 半導體在速度（比以前的設計快 10 倍至 100 倍）、電壓以及熱操作方面取得了重大進展。 這種更快的速度，可大幅提高運作效率，並有助於縮小體積、降低成本。 憑藉這些優點，車用功率轉換器設計人員可將更高的功率處理能力，整合到更小巧輕便的外觀設計中。
WBG 測試的動態和靜態特性分析有何區別？
動態特性分析是指與時間相關的波形特性分析，在切換元件狀態 — 從開啟到關閉（或相反） — 以萃取參數時，例如開啟、關閉和切換。 靜態特性分析基本上是與時間無關的 IV 和 CV 特性分析。
IV 特性包括 Vth、Vge（th）、Id-Vgs、Ic-Vge、Id-Vds、Ic-Vce、Rds-on、Vce（sat）、Igss、Iges、BVds 和 BVces。
CV 特性，例如 Ciss、Coss、Crss、Rg、Cies、Coes 和 Cres。
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