Choose a country or area to see content specific to your location
国の設定をご確認下さい。
日本
ご確認ください
関連する価格設定、特別オファー、イベント、およびお問い合わせ情報にアクセスするには、国を確認してください。
要求の厳しいRFワークフローに向けた、デュアルチャネルおよび超広帯域信号解析について詳しく見ていきましょう。
最大33 GHzに対応した、当社の新しいマルチコア12ビットオシロスコープで、より迅速かつ明確な分析結果を得ることができます。お手持ちの古いオシロスコープを下取りに出して、新しいXR8の購入に充当できるクレジットを獲得しましょう。
設計と実機試験を連携させ、ハードウェアが実在する前から、落下・衝撃・振動に対する適合性を評価する。
次の帯域幅プランへの無料アップグレードを有効にしてください。
トランシーバーからインターコネクトまで、AIスケールワークロード向け1.6Tネットワークの信頼性を強化します。
キーサイト社のVSAソフトウェアと新型XA5信号アナライザを組み合わせて、高度な可視化、復調、および解析を実現しましょう。今すぐ30日間の無料試用を開始してください。
追加のメモリとストレージにより、これらの強化されたNPBは、キーサイトのAIセキュリティおよびパフォーマンス監視ソフトウェアとAIスタックを実行します。
IC設計、検証、ウェーハテスト、フォトニクスにまたがるエンドツーエンドのワークフローをご覧ください。
迅速なイノベーションを継続できるよう優先的に提供される、厳選されたサポートプランをご覧ください。
キーサイト社製計測器向けに設計された高精度アクセサリーで、精度と性能を最大限に引き出しましょう。
設計および検証の意思決定を加速するための、信頼性の高いアプリケーションノート、データシート、リファレンスデザイン、テスト手順。
エンジニアがすぐに適用できる、システム設計、テスト手法、生産ワークフローを教えるハンズオンブートキャンプ。
成功事例
頻繁にお問い合わせされるサポート関連のお役に立つ情報すばやくアクセス
お持ちの製品をサポートするための追加情報
あらゆるステップでイノベーションを加速させるためのサービスを見る。
この集中的なブートキャンプで、デバイス特性評価におけるエキスパートレベルのスキルを習得しましょう。ビデオレッスン、アプリケーションノート、およびキーサイトの信頼できるハンドブックを通じて、静電容量やゲート電荷から超低抵抗まで、業界標準の方法とツールを使用して重要なパラメータを抽出する方法を学びます。
学び:
このブートキャンプは、デバイス特性評価エンジニア、パワー半導体研究者、および実践的なパラメトリックテストスキルを習得したい教育者に最適です。
第1回 - 半導体デバイスの静電容量
さまざまな種類の静電容量測定(準静的CV法および高周波CV法)について解説し、それぞれによってどのようなデバイスパラメータが明らかになるかを示す。また、静電容量測定における実務上の課題についても取り上げる。
第2課 - 静電容量の測定方法
静電容量の測定方法と、さまざまな種類の静電容量計について解説します。静電容量を測定する最適な方法は、具体的な用途によって異なります。
第3課 - 準静的静電容量測定
準静的静電容量測定について、また準静的測定がなぜ重要なのかを解説します。これはデバイスの応答であり、その精度は測定プロセスの特性に依存することを理解することが重要です。
第4回 - 高周波静電容量測定
高周波静電容量測定について、重点的に解説します。
第5課 - 包括的なCV-IV測定ソリューションを構築するために必要な構成要素
CV-IV測定ソリューション全体を構築するために必要な構成要素を共有します。理想としては、1台の装置または1つのセットアップで、CVおよびIVの測定をすべて行えるようになることが目標です。
第6課 - まとめと参考資料
デバイスのパラメータ特性評価において、静電容量測定がいかに重要であるかをまとめ、さらに詳しい情報を得るための追加リソースを紹介しています。
アプリケーションノート
パラメトリック測定
「パラメトリック試験とは何か」という問いは興味深いものであり、おそらく議論の余地もあるでしょう。一般的に、パラメトリック試験とは、抵抗器、ダイオード、トランジスタ、コンデンサという4つの主要な半導体デバイスの電気的試験および特性評価を指します。このアプリケーションノートは、エンジニアや研究者が、現在だけでなく今後長年にわたり、低電力および高電力のデバイスに対して正確なパラメトリック測定を行うことを可能にします。
静的および動的ゲート電荷測定
このアプリケーションノートでは、電力回路の設計性能を最適化するためのゲート電荷測定について解説します。
SiC MOSFETの超低オン抵抗測定
このアプリケーションノートでは、B1505A パワーデバイスアナライザ/カーブトレーサを使用して、超低Rds-onを測定するためのヒントについて解説します。
デジタルラーニングスイートによる半導体教育の強化
このアプリケーションノートでは、MOSFETの測定プロセスと、SMUを使用してIV測定を決定する方法について説明します。
『パラメトリック測定ハンドブック』第5版
このアプリケーションノートは、パラメトリック・テストのあらゆる側面に携わるエンジニアにとって、極めて貴重な参考資料となります。
SiCデバイスのゲート電荷 (Qg) を正確にテストおよび特性評価する方法
このアプリケーションノートでは、動的/静的パラメータアナライザを用いてQgを測定する際の、正しく効率的な使用方法について解説します。
ハードウェア
B1500A 半導体デバイス・パラメー タ・アナライザ/半導体特性評価システムメインフレーム
Keysight B1500A半導体デバイス・パラメータイ・アナライザは、オールインワンのデバイス特性評価用ソリューションで、IV、CV、最先端の高速パルスドIV測定用のさまざまな測定機能をサポートし、信頼性の高い測定を実現します。
低消費電力集積回路の特性評価方法
パルサー/デジタイザとIVカーブ測定ソフトウェアを内蔵したSMUを使用して、低消費電力ICの特性を評価
何をお探しですか?