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この集中的なブートキャンプで、デバイス特性評価におけるエキスパートレベルのスキルを習得しましょう。ビデオレッスン、アプリケーションノート、およびキーサイトの信頼できるハンドブックを通じて、静電容量やゲート電荷から超低抵抗まで、業界標準の方法とツールを使用して重要なパラメータを抽出する方法を学びます。
学び:
このブートキャンプは、デバイス特性評価エンジニア、パワー半導体研究者、および実践的なパラメトリックテストスキルを習得したい教育者に最適です。
第1回 - 半導体デバイスの静電容量
さまざまな種類の静電容量測定(準静的CVおよび高周波CV)について論じ、それらがどのようなデバイスパラメータを明らかにできるかを示します。また、実用的な静電容量測定の問題についても取り上げています。
第2課 - 静電容量の測定方法
静電容量測定の方法と、さまざまなタイプの静電容量計について定義します。静電容量を測定するための最適な方法は、特定のアプリケーションによって異なります。
アプリケーションノート
SiC MOSFETの超低オン抵抗測定
このアプリケーションノートでは、B1505A パワーデバイス・アナライザ/カーブ・トレーサを使用して超低Rds(on)を測定するためのヒントの概要を説明します。
第3課 - 準静的静電容量測定
準静的静電容量測定と、準静的測定が重要である理由について説明します。それがデバイスの応答であり、精度は測定プロセスの特性に依存することを理解することが重要です。
第4回 - 高周波静電容量測定
高周波容量測定に関する分かりやすい解説を提供します。
静的および動的ゲート電荷測定
このアプリケーションノートは、最適なパワー回路設計パフォーマンスを実現するためのゲート電荷測定の理解をサポートします。
パラメトリック測定
パラメトリックテストとは何かという疑問は興味深く、議論の余地があるかもしれません。一般的に、パラメトリックテストには、抵抗器、ダイオード、トランジスタ、コンデンサという4つの主要な半導体デバイスの電気的テストと特性評価が含まれます。このアプリケーションノートは、エンジニアや研究者が低電力および高電力デバイスの正確なパラメトリック測定を現在から将来にわたって行えるように支援します。
第5課 - 包括的なCV-IV測定ソリューションを構築するために必要な構成要素
完全なCV-IV測定ソリューションの構築に必要な構成要素を紹介します。理想的な目標は、単一の計測器またはセットアップで完全なCVおよびIV測定を実行できるようにすることです。
デジタルラーニングスイートによる半導体教育の強化
このアプリケーションノートでは、MOSFETの測定プロセスと、SMUを使用してIV測定を決定する方法について説明します。
SiCデバイスのゲート電荷 (Qg) を正確にテストおよび特性評価する方法
このアプリケーションノートでは、ダイナミック/スタティック・パラメータ・アナライザを正しく効率的に使用してQgを測定する方法の概要を説明します。
『パラメトリック測定ハンドブック』第5版
このアプリケーションノートは、パラメトリックテストのあらゆる側面に関わるエンジニアにとって、非常に価値のあるリファレンスツールです。
第6課 - まとめと参考資料
デバイスのパラメトリック評価において容量測定がいかに不可欠であるかを要約し、詳細情報を得るための追加リソースを提供します。
ハードウェア
B1500A 半導体デバイス・パラメー タ・アナライザ/半導体特性評価システムメインフレーム
Keysight B1500A半導体デバイス・パラメータイ・アナライザは、オールインワンのデバイス特性評価用ソリューションで、IV、CV、最先端の高速パルスドIV測定用のさまざまな測定機能をサポートし、信頼性の高い測定を実現します。
低消費電力集積回路の特性評価方法
パルサー/デジタイザとIVカーブ測定ソフトウェアを内蔵したSMUを使用して、低消費電力ICの特性を評価
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