Formation de base à la caractérisation paramétrique des semi-conducteurs - Partie 2
  • Cours
  • 12 éléments

Acquérir des compétences de niveau expert dans la caractérisation des dispositifs grâce à ce cours d'initiation ciblé. Grâce aux leçons vidéo, aux notes d'application et au manuel Keysight, vous apprendrez à extraire des paramètres critiques, de la capacité et de la charge de grille à la résistance ultra-faible, en utilisant des méthodes et des outils standard de l'industrie. 

Apprendre : 

  • Principes fondamentaux de la mesure de capacité (CV quasi-statique vs haute fréquence) pour l'analyse des dispositifs.
  • Solutions CV-IV intégrées pour rationaliser les flux de travail des tests. 
  • Mesure de la charge de grille conforme à la norme JEDEC pour les dispositifs de puissance Si/SiC/GaN.
  • Techniques de précision pour une résistance à l'état passant (Rds-on) ultra-faible dans les MOSFET en SiC. 
  • Automatisation des tests avec la suite d'apprentissage numérique pour les laboratoires et l'enseignement. 

Ce camp d'entraînement est idéal pour les ingénieurs en caractérisation de dispositifs, les chercheurs en semi-conducteurs de puissance et les éducateurs qui souhaitent acquérir des compétences pratiques en matière de tests paramétriques.

Leçons
Leçon 1 - La capacité dans les dispositifs à semi-conducteurs

Leçon 1 - La capacité dans les dispositifs à semi-conducteurs

Cet article aborde les différents types de mesure de capacité (CV quasi-statique et CV haute fréquence) et présente les types de paramètres des dispositifs qu’ils permettent de mettre en évidence. Il traite également des problèmes pratiques liés à la mesure de la capacité.
Leçon 2 - Méthodes de mesure de la capacité

Leçon 2 - Méthodes de mesure de la capacité

Définit les méthodes de mesure de la capacité ainsi que les différents types de capacimètres. La meilleure méthode pour mesurer la capacité dépendra de l'application spécifique.
Leçon 3 - Mesure quasi-statique de la capacité

Leçon 3 - Mesure quasi-statique de la capacité

Cet article explique la mesure quasi-statique de la capacité et l'importance de ce type de mesure. Il est important de comprendre qu'il s'agit d'une réponse de l'appareil et que la précision dépend des caractéristiques du processus de mesure.
Leçon 4 - Mesure de la capacité à haute fréquence

Leçon 4 - Mesure de la capacité à haute fréquence

Fournit une explication détaillée de la mesure de la capacité à haute fréquence.
Leçon 5 - Éléments nécessaires à la mise en place d'une solution complète de mesure CV-IV

Leçon 5 - Éléments nécessaires à la mise en place d'une solution complète de mesure CV-IV

Regroupe les composants nécessaires à la mise en place d'une solution complète de mesure CV-IV. Idéalement, l'objectif est de pouvoir réaliser une mesure CV et IV complète à l'aide d'un seul instrument ou d'un seul dispositif.
Leçon 6 - Résumé et ressources complémentaires

Leçon 6 - Résumé et ressources complémentaires

Ce document résume l'importance cruciale de la mesure de la capacité pour la caractérisation paramétrique des dispositifs et propose des ressources supplémentaires pour en savoir plus.
La mesure paramétrique

Notes d'application

La mesure paramétrique

La question de savoir ce qui relève des tests paramétriques est intéressante et peut faire l'objet d'un débat. En général, les tests paramétriques consistent à tester et à caractériser électriquement quatre types principaux de composants semi-conducteurs : les résistances, les diodes, les transistors et les condensateurs. Cette note d'application permet aux ingénieurs et aux chercheurs d'effectuer des mesures paramétriques précises sur des composants de faible et de forte puissance, tant aujourd'hui que dans les années à venir.
Mesure statique et dynamique de la charge de grille

Notes d'application

Mesure statique et dynamique de la charge de grille

Cette note d'application vous aide à comprendre la mesure de la charge de grille afin d'optimiser les performances de la conception des circuits de puissance.
Mesures de résistance à l'enclenchement ultra-faible des transistors MOSFET SiC

Notes d'application

Mesures de résistance à l'enclenchement ultra-faible des transistors MOSFET SiC

Cette note d'application présente des conseils pour mesurer des Rds-on ultra-faibles à l'aide de l'analyseur de dispositifs de puissance/traceur de courbes B1505A.
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Notes d'application

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Cette note d'application explique le processus de mesure des MOSFETS et l'utilisation d'un SMU pour déterminer les mesures IV.
Le manuel de la mesure paramétrique - 5e édition

Notes d'application

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Cette note d'application constitue un outil de référence indispensable pour les ingénieurs impliqués dans tout aspect des tests paramétriques.
Comment tester et caractériser avec précision la charge de grille (Qg) des dispositifs SiC ?

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Cette note d'application explique comment utiliser correctement et efficacement l'analyseur de paramètres dynamiques/statiques pour mesurer le Qg.
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