Formazione di base sulla caratterizzazione paramisuratorica dei semiconduttori - Parte 2
- Corsi
- 12 elementi
Acquisite competenze di livello esperto nella caratterizzazione dei dispositivi con questo bootcamp mirato. Attraverso lezioni video, note applicative e il fidato manuale di Keysight, imparerete a estrarre i parametri critici, dalla capacità e dalla carica di gate alla resistenza ultrabassa, utilizzando metodi e strumenti standard del settore.
Imparare:
- Nozioni fondamentali sulla misurazione della capacità (CV quasi statica vs. CV ad alta frequenza) per l'analisi dei dispositivi.
- Soluzioni CV-IV integrate per semplificare i flussi di lavoro dei test.
- Misurazione della carica di gate conforme allo standard JEDEC per dispositivi di potenza Si/SiC/GaN.
- Tecniche di precisione per una resistenza on ultra bassa (Rds-on) nei MOSFET SiC.
- Automazione dei test con la Digital Learning Suite per laboratori e formazione.
Questo bootcamp è ideale per gli ingegneri che si occupano di caratterizzazione dei dispositivi, per i ricercatori di semiconduttori di potenza e per gli educatori che desiderano acquisire competenze pratiche in materia di test parametrici.
Lezioni
