Kurs | Grundlagen der parametrischen Charakterisierung von Halbleitern – Teil 2

Grundschulung zur parametrischen Charakterisierung von Halbleitern - Teil 2

Kurse
12 Elemente

Erwerben Sie mit diesem gezielten Bootcamp Fähigkeiten auf Expertenebene in der Gerätecharakterisierung. Anhand von Videolektionen, Anwendungshinweisen und dem bewährten Keysight-Handbuch lernen Sie, kritische Parameter zu extrahieren - von Kapazität und Gate-Ladung bis hin zu extrem niedrigem Widerstand - und dabei Methoden und Tools nach Industriestandard zu verwenden.

Lernen:

Grundlagen der Kapazitätsmessung (quasistatische vs. Hochfrequenz-CV) zur Geräteanalyse.
Integrierte CV-IV-Lösungen zur Optimierung von Testabläufen.
JEDEC-konforme Gate-Ladungsmessung für Si/SiC/GaN-Leistungsbauelemente.
Präzisionstechniken für extrem niedrigen Einschaltwiderstand (Rds-on) in SiC-MOSFETs.
Testautomatisierung mit der Digital Learning Suite für Labore und Schulungen.

Dieses Bootcamp ist ideal für Ingenieure, die sich mit der Charakterisierung von Bauelementen befassen, für Forscher im Bereich Leistungshalbleiter und für Lehrkräfte, die praktische Kenntnisse im Bereich parametrischer Tests erwerben möchten.

Lektionen

Lektion 1 – Kapazität in Halbleiterbauelementen

Der Artikel erörtert verschiedene Arten der Kapazitätsmessung (quasi-statische CV und Hochfrequenz-CV) und zeigt auf, welche Geräteparameter sich damit ermitteln lassen. Auch praktische Aspekte der Kapazitätsmessung werden behandelt.

Lektion 2 – Methoden zur Kapazitätsmessung

Er definiert Methoden zur Kapazitätsmessung und die verschiedenen Arten von Kapazitätsmessgeräten. Die beste Methode zur Kapazitätsmessung hängt von der jeweiligen Anwendung ab.

Lektion 3 – Quasistatische Kapazitätsmessung

Dieser Artikel erklärt die quasistatische Kapazitätsmessung und deren Bedeutung. Wichtig ist zu verstehen, dass es sich um eine Geräteantwort handelt und die Genauigkeit von den Eigenschaften des Messprozesses abhängt.

Lektion 4 – Hochfrequenz-Kapazitätsmessung

Bietet eine fokussierte Erklärung der Hochfrequenz-Kapazitätsmessung.

Lektion 5 – Komponenten, die zur Erstellung einer vollständigen CV-IV-Messlösung erforderlich sind

Bietet die notwendigen Komponenten für eine vollständige CV-IV-Messlösung. Idealerweise soll eine vollständige CV- und IV-Messung mit einem einzigen Gerät oder Aufbau möglich sein.

Lektion 6 – Zusammenfassung und zusätzliche Ressourcen

Fasst zusammen, wie wichtig Kapazitätsmessungen für die parametrische Charakterisierung von Bauelementen sind, und bietet zusätzliche Informationsquellen.

Applikationsberichte

Die parametrische Messung

Die Frage, was genau unter parametrischer Prüfung zu verstehen ist, ist interessant und möglicherweise diskussionswürdig. Im Allgemeinen umfasst parametrische Prüfung die elektrische Prüfung und Charakterisierung von vier Haupttypen von Halbleiterbauelementen: Widerständen, Dioden, Transistoren und Kondensatoren. Diese Anwendungsbeschreibung ermöglicht es Ingenieuren und Forschern, präzise parametrische Messungen an Bauelementen mit niedriger und hoher Leistung durchzuführen – sowohl heute als auch in den kommenden Jahren.

Applikationsberichte

Statische und dynamische Gate-Ladungsmessung

Diese Anwendungsbeschreibung hilft Ihnen, die Gate-Ladungsmessung für eine optimale Leistungsfähigkeit von Leistungsschaltungen zu verstehen.

Applikationsberichte

Messungen des ultra-niedrigen Ein-Widerstands von SiC-MOSFETs

Diese Anwendungsbeschreibung enthält Tipps zur Messung von extrem niedrigen Rds-on-Werten mit dem Leistungsbauelementanalysator/Kurventracer B1505A.

Applikationsberichte

Verstärkung der Halbleiterlehre durch die Digital Learning Suite

In diesem Anwendungshinweis wird das Verfahren zur Messung von MOSFETS und die Verwendung einer SMU zur Bestimmung von IV-Messungen erläutert.

Applikationsberichte

Handbuch der parametrischen Messung – 5. Auflage

Diese Anwendungsbeschreibung ist ein unschätzbares Nachschlagewerk für Ingenieure, die sich mit irgendeinem Aspekt parametrischer Tests befassen.

Applikationsberichte

Genaue Prüfung und Charakterisierung der Gate-Ladung (Qg) von SiC-Bauelementen

Diese Anwendungsbeschreibung erläutert, wie man den dynamischen/statischen Parameteranalysator korrekt und effizient zur Messung von Qg einsetzt.

Zugehöriges Produkt

Verwandter Anwendungsfall