如何表徵矽光子學電光 S 參數

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+ 光波元件分析儀

矽光子裝置 S 參數特性分析

矽光子積體電路 (PIC) 需要精確的電光特性分析，涵蓋頻寬、插入損耗和頻率響應。電光 S 參數量測對於理解高速電氣訊號如何在現代光通訊系統中轉換為光學行為至關重要。隨著資料中心介面朝 1.6T 和 3.2T 發展，所需的頻寬推向並超越 100 GHz，這對電光測試能力提出了新的要求。

晶圓級和晶片級測試帶來了額外的複雜性，包括光耦合效率、探棒和纜線效應、校準參考平面以及夾具去嵌入。工程師必須確保可重複、高傳真度的量測，將真實裝置響應與測試系統假象隔離，同時保持足夠的量測頻寬，以便在封裝和系統級整合之前，精確地對下一代 PIC 裝置進行特性分析。

矽光子學特性分析解決方案

精確的電光 S 參數特性分析需要緊密同步的電氣激勵和光學量測，涵蓋超寬頻寬。Keysight 矽光子特性分析解決方案使用頻寬高達 220 GHz 的光波元件分析儀，產生高頻電氣激勵並量測 PIC 裝置的相應光學響應。此功能支援對用於 1.6T 和 3.2T 資料中心架構的調變器和光偵測器進行晶圓級和晶片級特性分析，實現相位和幅度精確的 S 參數提取，以驗證頻寬和頻率響應。

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