Comment caractériser les paramètres S électro-optiques en photonique sur silicium
Caractérisation des paramètres S des dispositifs photoniques à base de silicium
Les circuits intégrés photoniques au silicium (PIC) nécessitent une caractérisation électro-optique précise en termes de bande passante, de perte d'insertion et de réponse en fréquence. Les mesures électro-optiques des paramètres S sont essentielles pour comprendre comment les signaux électriques à haute vitesse se traduisent en comportement optique dans les systèmes de communication optique modernes. À mesure que les interfaces des centres de données évoluent vers 1,6 T et 3,2 T, les bandes passantes requises atteignent et dépassent les 100 GHz, imposant de nouvelles exigences en matière de capacités de test électro-optiques.
Les tests au niveau des plaquettes et des puces introduisent une complexité supplémentaire, notamment en ce qui concerne l'efficacité du couplage optique, les effets liés aux sondes et aux câbles, les plans de référence d'étalonnage et la correction de l'effet de montage. Les ingénieurs doivent garantir des mesures reproductibles et de haute fidélité qui permettent de distinguer la réponse réelle du dispositif des artefacts du système de test, tout en conservant une bande passante de mesure suffisante pour caractériser avec précision les dispositifs PIC de nouvelle génération avant leur encapsulation et leur intégration au niveau du système.
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