실리콘 포토닉스 전기광학 S-파라미터 특성 분석 방법

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실리콘 포토닉스 디바이스 S-파라미터 특성화

실리콘 포토닉스 집적 회로(PIC)는 대역폭, 삽입 손실 및 주파수 응답 전반에 걸쳐 정밀한 전기-광학 특성화를 필요로 합니다. 전기-광학 S-파라미터 측정은 최신 광 통신 시스템에서 고속 전기 신호가 광학 동작으로 어떻게 변환되는지 이해하는 데 필수적입니다. 데이터 센터 인터페이스가 1.6T 및 3.2T로 발전함에 따라, 필요한 대역폭이 100GHz 이상으로 확장되어 전기-광학 테스트 기능에 대한 새로운 요구 사항이 발생하고 있습니다.

웨이퍼 및 칩 레벨 테스트는 광학 결합 효율, 프로브 및 케이블 효과, 교정 기준면, 픽스처 디임베딩을 포함한 추가적인 복잡성을 수반합니다. 엔지니어는 패키징 및 시스템 레벨 통합 전에 차세대 PIC 디바이스를 정확하게 특성화하기 위해 충분한 측정 대역폭을 유지하면서 테스트 시스템 아티팩트로부터 실제 디바이스 응답을 분리하는 반복 가능하고 고충실도 측정을 보장해야 합니다.

실리콘 포토닉스 특성 분석 솔루션

정확한 전기-광학 S-파라미터 특성화에는 초광대역폭에 걸쳐 긴밀하게 동기화된 전기 자극 및 광학 측정이 필요합니다. Keysight 실리콘 포토닉스 특성화 솔루션은 최대 220GHz 대역폭의 광파 부품 분석기를 사용하여 고주파 전기 자극을 생성하고 PIC 디바이스의 해당 광학 응답을 측정합니다. 이 기능은 1.6T 및 3.2T 데이터센터 아키텍처에 사용되는 변조기 및 광검출기의 웨이퍼 및 칩 레벨 특성화를 지원하여, 대역폭 및 주파수 응답 검증을 위한 위상 및 크기 정확한 S-파라미터 추출을 가능하게 합니다.

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