Come caratterizzare i parametri S elettro-ottici nella fotonica al silicio

Preventivo
Analizzatore di componenti Lightwave
+ Analizzatore di componenti Lightwave
Analizzatore di componenti Lightwave
+ Analizzatore di componenti Lightwave

Caratterizzazione dei parametri S dei dispositivi fotonici al silicio

I circuiti integrati fotonici al silicio (PIC) richiedono una caratterizzazione elettro-ottica precisa in termini di larghezza di banda, perdita di inserzione e risposta in frequenza. Le misurazioni elettro-ottiche dei parametri S sono essenziali per comprendere come i segnali elettrici ad alta velocità si traducano in comportamento ottico nei moderni sistemi di comunicazione ottica. Man mano che le interfacce dei data center si avvicinano a 1,6T e 3,2T, le larghezze di banda richieste superano i 100 GHz, ponendo nuove esigenze alle capacità di test elettro-ottici.

I test a livello di wafer e di chip comportano una maggiore complessità, che comprende l'efficienza di accoppiamento ottico, gli effetti delle sonde e dei cavi, i piani di riferimento per la calibrazione e la de-embedding dei dispositivi di fissaggio. Gli ingegneri devono garantire misurazioni ripetibili e ad alta fedeltà che isolino la risposta effettiva del dispositivo dagli artefatti del sistema di test, mantenendo al contempo una larghezza di banda di misurazione sufficiente per caratterizzare con precisione i dispositivi PIC di nuova generazione prima dell'assemblaggio e dell'integrazione a livello di sistema.

Soluzione per la caratterizzazione della fotonica al silicio

Una caratterizzazione elettro-ottica accurata dei parametri S richiede uno stimolo elettrico e una misurazione ottica perfettamente sincronizzati su larghezze di banda estremamente ampie. La soluzione di caratterizzazione della fotonica su silicio di Keysight utilizza un analizzatore di componenti a onde luminose con una larghezza di banda fino a 220 GHz per generare uno stimolo elettrico ad alta frequenza e misurare la corrispondente risposta ottica dei dispositivi PIC. Questa funzionalità supporta la caratterizzazione a livello di wafer e di chip di modulatori e fotorilevatori utilizzati nelle architetture dei data center da 1,6 T e 3,2 T, consentendo l'estrazione dei parametri S con precisione di fase e ampiezza per la convalida della larghezza di banda e della risposta in frequenza.
Preventivo

Guarda una demo della nostra soluzione per la caratterizzazione della fotonica al silicio

Scopri i prodotti della nostra soluzione per la caratterizzazione della fotonica al silicio

Casi d'uso correlati

Come eseguire il test del CI Beamformer 5G

I circuiti integrati beamformer richiedono test meticolosi per comunicazioni 5G mmWave affidabili ed efficienti. Scoprite come eseguire i test sui circuiti integrati beamformer utilizzando una combinazione di hardware e software di misura.

Per saperne di più

Come massimizzare l'efficienza e la linearità degli amplificatori di potenza

La massimizzazione della linearità dell'amplificatore di potenza (PA), pur mantenendo l'efficienza, richiede una tecnica di linearizzazione chiamata pre-distorsione digitale (DPD). Per fornire prestazioni ottimali, la tecnica DPD richiede la generazione di segnali vettoriali calibrati a banda larga e l'analisi del segnale.

Per saperne di più

Come valutare le caratteristiche IV dei LED

La caratterizzazione della corrente e della tensione (IV) per i LED ad alta efficienza energetica richiede la capacità di generarle e misurarle simultaneamente. Scoprite come valutare le caratteristiche IV dei dispositivi a due e tre terminali con un'unità sorgente/misura.

Per saperne di più

contattaci logo

Mettetevi in contatto con uno dei nostri esperti

Avete bisogno di aiuto per trovare la soluzione giusta per voi?

Contattaci