シリコンフォトニクスにおける電気光学Sパラメータの評価方法

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シリコンフォトニックデバイスのSパラメータ特性評価

シリコンフォトニック集積回路 (PIC) には、帯域幅、挿入損失、周波数応答にわたる高精度な電気光学特性評価が求められます。電気光学Sパラメータ測定は、最新の光通信システムにおいて高速電気信号がどのように光学的挙動に変換されるかを理解するために不可欠です。データセンターインターフェースが1.6Tおよび3.2Tへと移行するにつれて、必要な帯域幅は100 GHz以上へと拡大し、電気光学テスト機能に新たな要求を課しています。

ウェハーレベルおよびチップレベルのテストは、光結合効率、プローブおよびケーブルの影響、校正基準面、フィクスチャのデエンベディングといったさらなる複雑さを伴います。エンジニアは、パッケージングおよびシステムレベル統合の前に次世代PICデバイスを正確に特性評価するために十分な測定帯域幅を維持しつつ、テストシステムによるアーチファクトから真のデバイス応答を分離する、再現性の高い高忠実度な測定を確保する必要があります。

シリコンフォトニクス特性評価ソリューション

高精度な電気光学Sパラメータ特性評価には、超広帯域にわたる電気刺激と光測定の厳密な同期が必要です。キーサイトのシリコンフォトニクス特性評価ソリューションは、最大220 GHzの帯域幅を持つライトウェーブ・コンポーネント・アナライザを使用し、高周波電気刺激を生成してPICデバイスの対応する光応答を測定します。この機能は、1.6Tおよび3.2Tデータセンターアーキテクチャで使用される変調器およびフォトディテクタのウェハーレベルおよびチップレベルの特性評価をサポートし、位相および振幅が正確なSパラメータ抽出を可能にすることで、帯域幅と周波数応答の検証に役立ちます。
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