如何表徵 SiC 與 GaN 開關特性

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精確分析快速切換轉換

寬能隙裝置，例如 SiC 和 GaN，與傳統矽裝置相比，可實現顯著更快的切換速度，使其非常適合高效率電源轉換系統。然而，這些快速轉換帶來了量測挑戰，包括高 dv/dt 和 di/dt、電壓過衝，以及測試設定中寄生電感引起的振鈴。精確擷取這些效應對於了解切換事件期間的裝置行為並確保可靠的系統效能至關重要。

雙脈衝測試是一種廣泛用於在受控條件下評估功率裝置動態切換特性的方法。透過施加兩個連續脈衝，工程師可以在同時量測電壓和電流波形的同時，隔離導通和關斷行為。這使得能夠詳細分析切換轉換，包括時序、切換期間的能量損耗和暫態效應。從這些量測中獲得的洞察力有助於最佳化閘極驅動條件、減少切換損耗，並提高功率電子設計的整體效率。

SiC 與 GaN 開關特性分析解決方案

此解決方案可使用應用說明中描述的雙脈衝測試技術，對 SiC 和 GaN 裝置進行精確的動態特性分析。透過在切換事件期間擷取同步的電壓和電流波形，工程師可以分析導通和關斷行為、量化切換損耗，並觀察過衝和振鈴等暫態效應。這種方法支援在實際操作條件下對裝置效能進行精確評估，協助工程師最佳化切換參數、提高效率，並驗證用於高效能應用的功率裝置設計。
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