如何測試寬能隙半導體電源模組

+ 功率元件分析儀

使用真正的脈衝隔離探棒技術，對 WBG 半導體電源模組進行特性分析

測試雙脈衝測試（DPT）系統中的電源模組時，您需同時量測低側和高側信號。碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）寬能隙（WBG）電源模組，具有比離散功率元件更高的功率密度，若結合多個場效電晶體（FET）晶片還可提高電流。想要快速充電，就需藉助可在高達 400 A 的大電流、高電壓條件下運作的半導體，例如 SiC 和 GaN。這些半導體採用獨特的半橋電源模組配置，因此您需單獨量測高側元件源極和低側元件汲極之間的接面的電壓電位。當半橋切換時，將產生大電壓擺盪幅度，造成電壓電位劇烈改變。這使得高側 FET 的量測變得更具挑戰性，特別是在量測較小的閘電壓時。

DPT 技術是確認功率半導體效能的產業標準。測試工程師需透過使用脈衝隔離探棒技術的雙脈衝測試儀，來收集準確的閘電壓。該系統依賴高頻寬射頻補償，來提供準確的大電流量測。 DPT 系統應包含標準的進階量測技術，例如探棒補償、偏移調整、偏移校正和共模雜訊拒斥。此外，您還需要以半自動方式校驗例行程序，以便修正系統增益和偏移誤差。該系統應符合最新的 JEDEC 標準，才能以標準化方法對 WBG 元件進行特性分析。

WBG 半導體電源模組測試儀

測試在大電流和頻寬下運作的 WBG 半導體電源模組時，您需使用脈衝隔離式探棒技術，以符合 JEDEC JC-70 WBG GaN 和 SiC 標準的要求。 Keysight WBG 元件分析儀和測試儀（PD1550A）可對 SiC 半導體電源模組，提供可重複且可靠的量測。它採用創新的脈衝隔離式探棒技術，可克服高側閘電壓特性分析的挑戰。它可測試高達 1,360 V 和 1,000 A 的電源模組，其採用省時的無銲接接觸技術來連接待測模組。

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