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從超低電流到高功率應用
IV量測系統用於裝置特性分析
裝置特性分析的一體化系統
晶圓級測試系統用於參數驗證
高功率測試用於矽、碳化矽及氮化鎵裝置
儀器 測量超低電流與高電阻
矽晶片開發的即時原型設計平台
高隔離開關技術實現超低電流路由
是德科技電流電壓分析儀提供精準、低雜訊的信號源與量測能力基礎 半導體元件特性分析與材料研究基礎 。這些分析儀專為處理廣泛的電流與電壓範圍而設計——從飛安級電流到高壓掃描——能在各類應用中提供精確、可重複的量測結果。 憑藉靈活的多通道配置與直觀的軟體控制,Keysight IV分析儀能有效加速元件開發、可靠性測試及製程優化。需要選型協助?請參閱以下資源。
是德科技參數分析儀在單一整合平台上提供全面的半導體元件特性分析。這些模組化系統結合精密電流-電壓(IV)與電容-電壓(CV)測試、脈衝量測及可靠性測試功能,支援從進階 到高功率元件的廣泛裝置。 憑藉業界領先的測量精度、靈活的配置選項及直觀的軟體控制,是德參數分析儀能有效加速元件的研發與認證流程。需要選型協助?請參閱以下資源。
是德科技參數測試解決方案結合高效能量測儀器 活自動化技術,可加速半導體元件從早期開發到量產階段的評估流程。這些可擴展系統提供精確的電流-電壓(IV)、電容-電壓(CV)及可靠性測試,有助於優化元件性能、監控製程變異性,並確保長期可靠性。 經設計可與晶圓探測器及生產環境無縫整合,是德科技參數解決方案為當今進階 技術提供所需的精準度、速度與效率。需要選型協助?請參閱以下資源。
是德科技功率器件分析儀/曲線追蹤儀是專為評估與表徵高壓、大電流半導體器件而設計的解決方案。 這些系統結合精準的電源輸出、快速測量與全面分析功能,可支援功率電晶體、二極體、IGBT 及碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶元件的關鍵測試。憑藉可擴展的電壓與電流範圍、整合式安全功能及直覺化軟體,是德科技解決方案能協助加速開發進程、提升元件可靠性並簡化生產測試流程。需要選型協助?請參閱以下資源。
是德科技的飛安級/皮安級電流計與電量計,具備業界頂尖的靈敏度,可精準測量進階 與半導體裝置中的極微電流、超高電阻及低電壓。 憑藉低至0.01 fA的量測能力與內建圖形分析功能儀器 在洩漏電流測試、絕緣電阻及超低電流特性分析等嚴苛應用中儀器 精準、穩定且抗噪的卓越性能。經設計適用於工作檯面操作與系統整合,是加速研究開發、裝置設計及品質保證的理想選擇。需要選型協助?請參閱以下資源。
是德科技通用訊號處理架構(USPA)提供高效能、模組化且完全可程式化的即時環境,專為超高速應用特定原型開發與驗證而設計。此平台以業界領先的ADC3與DAC3資料轉換器及基於FPGA的數位訊號處理為核心,協助工程師快速迭代與驗證設計,從而降低風險、縮短開發週期並節省成本。 其應用範圍涵蓋系統單晶片/專用積體電路原型開發、6G、光通訊、雷達及進階 研究。需要選型協助?請參閱以下資源。
是德科技低漏電流開關矩陣專為自動化半導體測試設計,滿足極低電流測量與高隔離性能的需求。 這些開關矩陣經工程設計可維持飛安級訊號完整性,能在多個裝置或測試節點間實現無縫切換,同時確保測量精確度不受影響。憑藉靈活配置、緊湊外型及與是德分析儀的簡易整合特性,此產品系列特別適用於參數測試、可靠性研究及晶圓級特性分析。需要選型協助?請參閱以下資源。
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驗證新一代功率器件需要具備快速切換、精準計時及在極端條件下仍能確保穩健安全性的工具。 是德科技功率元件分析儀/曲線追蹤儀專為碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管的動態特性分析而設計,可精準量測切換損耗、動態導通電阻及寄生效應。憑藉全整合式控制、內建保護功能與高壓能力,該設備協助工程師安全可靠地模擬真實應力環境,加速電源轉換器開發進程。
半導體
半導體 雙脈衝測試半導體 WBG半導體 特性分析。
半導體
採用真實脈衝隔離探針技術對WBG半導體功率模組進行特性分析。
半導體
使用源測量單元對低功耗積體電路進行特性分析。
半導體
使用光源/測量裝置評估IV LED特性。
半導體
在電阻測量過程中消除誘發錯誤的因素。
透過精選支援方案以及優先回應與周轉時間,加速創新。
取得可預測的租賃式訂閱和完整的生命週期管理解決方案,讓您更快達成業務目標。
成為 KeysightCare 訂閱者,體驗更優質的服務,獲得承諾的技術回應及更多。
確保您的測試系統符合規格要求,並符合當地與全球標準。
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下載 Keysight 軟體,或將您的軟體更新至最新版本。
半導體測試涵蓋廣泛的器件類型,每種器件皆有其獨特需求。這包括基本元件如電晶體——例如金屬氧化物半導體電場效應電晶體(MOSFET)與絕緣柵雙極電晶體(IGBT)——以及用於能量轉換的二極體、整流器與功率元件。 積體電路(IC)——涵蓋類比與數位類型——同樣需要精確的電氣特性分析以確保性能與可靠性。此外,感測器(如溫度、壓力及光學感測器)因其敏感特性與應用特定需求,需採用專業化測試配置。
隨著進階 興起,寬禁帶半導體 碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)在高功率與高頻應用中日益重要,因而需要更精密的測試方法。每類裝置皆具備獨特的電氣與物理特性。 例如:奈安級或皮安級的漏電流、電容隨電壓變化特性,以及高壓擊穿特性。因此,在各種環境與操作條件下,採用專業測試解決方案精準捕捉電流-電壓(I-V)特性、電容值、漏電流、切換動態及可靠性表現至關重要。
許多半導體元件,特別是應用於低功耗、精密或次世代領域的裝置,運作時需維持極微小的電流水準,有時甚至僅在飛安培(fA)或皮安培(pA)量級。在此尺度下,即使測試系統本身產生的微量漏電流或雜散電干擾,都可能扭曲測試結果,導致特性分析失準。 低漏電流開關矩陣旨在最小化可能掩蓋被測裝置真實行為的雜散電流,而高隔離度量測路徑則能防止訊號間的串擾或噪訊耦合。 這些特性對於表徵如感測器等敏感元件、測試進階 帶材料(如碳化矽、氮化鎵),或執行基礎穩定重複基礎長期可靠性與應力測試至關重要。若缺乏低漏電流與高隔離性能,工程師可能對元件特性得出錯誤結論,進而影響設計品質、安全性及應用標準合規性。
半導體元件的特性分析通常涉及一系列互補的測量技術,每種技術針對特定的電氣或物理參數。電流-電壓(I-V)測量構成基礎,能揭示導電特性、閾值電壓、漏電流行為以及跨寬電壓範圍的擊穿特性。 電容-電壓(C-V)測量同樣重要,可提供摻雜濃度分布、氧化層品質及結特性等數據。針對高功率或熱敏感元件,常採用脈衝測量技術——透過短暫能量脈衝避免元件損耗,同時完整捕捉動態行為。
可靠性壓力測試技術,例如高溫操作壽命(HTOL)、熱循環及偏壓溫度不穩定性(BTI)評估,用於模擬長期運作並識別潛在的性能退化機制。 根據目標應用進階 ,有時亦需進階 例如瞬態響應分析、時間依賴性介電擊穿(TDDB)或射頻(RF)特性分析。綜合運用這些技術,可全面掌握半導體元件的性能表現、抗干擾能力及部署適用性。
自動化是現代半導體測試的基石,尤其在高產量製造環境或處理複雜多裝置特性分析的研究實驗室中。透過運用自動化探針台、機械手處理系統及軟體驅動的測試序列,企業能顯著提升產能、減少操作人員失誤,並確保在大數據集中維持一致的測量重複性。
自動化技術亦支援進階 例如無人值守的晶圓探測,可於夜間完成數百至數千顆裝置的測試,同時支援封裝裝置的自動化批次測試。在可靠性測試領域,自動化系統能實現無需人工干預的長期持續應力監測,確保及早發現性能漂移現象。此外,自動化系統促進數據整合與分析,使工程師能快速識別趨勢、優化裝置模型,並加速產品開發週期。 簡言之,自動化不僅提升效率與生產力,更能大規模確保品質管控及符合嚴謹的產業標準。
半導體產業以快速創新為特徵,驅動力來自新材料、進階 架構及新興應用需求。為維持效能,測試系統必須兼具靈活性與擴展性。模組化平台使工程師得以擴充切換容量、新增量測模組,或整合新興測試方法,無需更換整套系統。
例如,隨著碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體 寬禁帶半導體 在電動車與再生能源系統中的應用日益普及,測試系統必須具備處理更高電壓、更快速切換及更嚴苛熱環境的能力。同樣地,對於次世代通訊與運算裝置而言,高速瞬態分析與射頻(RF)測試正逐漸基礎。
適應性同樣延伸至軟體領域。現代測試系統必須支援不斷演進的標準、資料格式與自動化框架,以確保能無縫整合至開發工作流程。透過維持可擴展性與可升級性,半導體測試系統既能保障投資價值,又能與裝置及應用的持續演進同步前進。