HIGHLIGHTS

  • 透過對矽晶圓進行從直流到高速脈衝 IV 的全面量測,精確、快速地分析自旋轉移力矩磁阻隨機存取記憶體(STT-MRAM)等新型記憶體
  • 將精確而高速的脈衝電壓(低至 1 ns 脈衝)套用於 STT-MRAM 的磁性隧道結(MTJ),進而準確量測磁性隧道結的電阻
  • 使用單一解決方案執行所有典型的 MTJ 特性測試
  • 誤碼率測試(BERT)等輪循測試速度加快 10 至 100 倍
  • 在寫入脈衝時,擷取並清晰顯示 MTJ 開關波形
  • 採用是德科技專業技術精心打造的專用解決方案
隨附的選項:

KEY SPECIFICATIONS

最大 SPGU 輸出通道數
n/a
最大量測針腳數
2
最小電流量測解析度
1 pA
最小電壓量測解析度
n/a
最大 SPGU 輸出通道數
最大量測針腳數
最小電流量測解析度
最小電壓量測解析度
n/a
2
1 pA
n/a
查看更多
電流量測範圍:
10 uA to 2 mA
最大量測針腳數:
2
最大 SPGU 輸出通道數:
n/a
最小電流量測解析度:
1 pA
最小電壓量測解析度:
n/a
脈衝電壓範圍:
- 2 V to + 2V
脈寬範圍:
1 ns to 2 s
類型:
Parametric Test Solution

SPECS 軟體


SPECS-FA 軟體


Interested in a NX5730A?

Extend the capabilities for your 高速率 1 ns 脈衝 IV 記憶體測試解決方案

Want help or have questions?