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產品特性

  • 可準確快速地分析新型記憶體的特性，例如自旋轉移力矩磁阻隨機存取記憶體（STT-MRAM），從直流到矽晶圓上的高速脈衝 IV 測試
  • 將精確而高速的脈衝電壓（低至 1 ns 脈衝）套用於 STT-MRAM 的磁性隧道接面（MTJ），進而準確量測磁性隧道接面的電阻
  • 在一套記憶體測試解決方案中，執行所有典型的 MTJ 特性分析測試
  • 誤碼率測試（BERT）等週期測試速度加快 10 至 100 倍
  • 在寫入脈衝時，擷取並可視化 MTJ 切換波形
  • 結合是德科技專業技術，提供專用的 1 ns IV 記憶體測試解決方案
隨附的配件：
  • 系統機櫃
  • PIV 驅動器單元
  • PIV 接收器單元

主要技術規格

下载技术指标/下載技術規格
最大 SPGU 輸出通道數
n/a
最大量測針腳數
2
最小電流量測解析度
1 pA
最小電壓量測解析度
n/a
Parallel Parametric Test Capability
否
最大 SPGU 輸出通道數
最大量測針腳數
最小電流量測解析度
最小電壓量測解析度
Parallel Parametric Test Capability
n/a
2
1 pA
n/a
否
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附加功能:
Narrow Pulsed IV
Form Factor:
N/A
最大量測針腳數:
2
最大 SPGU 輸出通道數:
n/a
最小電流量測解析度:
1 pA
最小電壓量測解析度:
n/a
Parallel Parametric Test Capability:
否
脈衝電壓範圍:
-2 V to +2 V
脈寬範圍:
1 ns to 2 s
類型:
Parametric Test Solution
高速率 1 ns 脈衝 IV 記憶體測試解決方案

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