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NX5730A 고처리량 1 ns Pulsed IV 메모리 테스트 솔루션
고속 펄스형 IV 및 정밀 DC 측정 수행
주요 특징
- 실리콘 웨이퍼에 대한 DC-고속 펄스 IV 테스트의 STT-MRAM(Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory) 같은 새로운 메모리의 정밀하고 빠른 특성화
- STT-MRAM 관련 MTJ(Magnetic Tunnel Junction)에 정확한 고속 펄스 전압(최저 1 ns 펄스)을 적용하고 MTJ의 저항을 정확히 측정
- 하나의 메모리 테스트 솔루션에서 모든 일반 MTJ 특성화 테스트 수행
- 10 ~ 100배 더 빠른 사이클 테스트(예: 비트 오류율 테스트(BERT))
- 작성 펄스 도중에 MTJ 스위칭 파형을 명확히 캡처 및 시각화
- 키사이트의 기술 전문성을 활용한 전담 1 ns IV 메모리 테스트 솔루션
포함 항목:
- 시스템 캐비닛
- PIV 드라이버 장치
- PIV 수신기 장치
주요 사양
최대 SPGU 출력 채널 수
N/A
최대 측정 핀 수
2
최소 전류 측정 분해능
1 pA
최소 전압 측정 분해능
N/A
Parallel Parametric Test Capability
아니오
최대 SPGU 출력 채널 수
최대 측정 핀 수
최소 전류 측정 분해능
최소 전압 측정 분해능
Parallel Parametric Test Capability
N/A
2
1 pA
N/A
아니오
더 보기
추가 기능:
N/A
폼 팩터 :
N/A
최대 측정 핀 수:
2
최대 SPGU 출력 채널 수:
N/A
최소 전류 측정 분해능:
1 pA
최소 전압 측정 분해능:
N/A
Parallel Parametric Test Capability:
아니오
펄스 전압 범위:
-2 V to +2 V
펄스 폭 범위:
1 ns to 2 s
유형:
Memory Test Solution
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고처리량 1 ns Pulsed IV 메모리 테스트 솔루션의 역량 확장
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