고처리량 1 ns Pulsed IV 메모리 테스트 솔루션

키사이트 NX5730A 고처리량 1 ns 펄스형 IV 메모리 테스트 솔루션은 고속 펄스형 IV 및 정밀 DC 수행하도록 설계되었습니다.

제품 이미지
  • Maximum number of measurement pins

    2

  • 최소 전류 측정 분해능

    1 pA

  • Minimum voltage measurement resolution

    N/A

  • Additional features

    N/A

견적 준비 완료

포함된 내용과 키사이트의 사용 가능한 업그레이드 옵션을 확인하십시오.

하이라이트

  • 실리콘 웨이퍼에 대한 DC-고속 펄스 IV 테스트의 STT-MRAM(Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory) 같은 새로운 메모리의 정밀하고 빠른 특성화
  • STT-MRAM 관련 MTJ(Magnetic Tunnel Junction)에 정확한 고속 펄스 전압(최저 1 ns 펄스)을 적용하고 MTJ의 저항을 정확히 측정
  • 하나의 메모리 테스트 솔루션에서 모든 일반 MTJ 특성화 테스트 수행
  • 10 ~ 100배 더 빠른 사이클 테스트(예: 비트 오류율 테스트(BERT))
  • 작성 펄스 도중에 MTJ 스위칭 파형을 명확히 캡처 및 시각화
  • 키사이트의 기술 전문성을 활용한 전담 1 ns IV 메모리 테스트 솔루션
포함 항목:
  • System Cabinet
  • PIV 드라이버 장치
  • PIV 수신기 장치