Highlights

  • Precise and fast characterization of new memory, such as spin transfer torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) from DC to high-speed pulsed IV test on silicon wafers
  • Apply accurate and high-speed pulsed voltages (down to 1 ns pulse) to magnetic tunnel junction (MTJ) for STT-MRAM and precisely measure the resistance of MTJ
  • Perform all typical MTJ characterization tests in one memory test solution
  • 10 to 100 times faster cycle test, such as a bit error rate test (BERT)
  • Capture and visualize MTJ switching waveforms clearly during the writing pulse
  • Dedicated 1 ns IV memory test solution with Keysight technical expertise
What's Included:
  • System cabinet
  • PIV driver unit
  • PIV receiver unit

Principais especificações

Número máximo de canais de saída SPGU
n/a
Número Máximo de Pinos de Medição
2
Resolução Mínima de Medição de Corrente
1 pA
Resolução Mínima de Medição de Tensão
n/a
Parallel Parametric Test Capability
não
Número máximo de canais de saída SPGU
Número Máximo de Pinos de Medição
Resolução Mínima de Medição de Corrente
Resolução Mínima de Medição de Tensão
Parallel Parametric Test Capability
n/a
2
1 pA
n/a
não
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Características adicionais:
Narrow Pulsed IV
Form Factor:
N/A
Número Máximo de Pinos de Medição:
2
Número máximo de canais de saída SPGU:
n/a
Resolução Mínima de Medição de Corrente:
1 pA
Resolução Mínima de Medição de Tensão:
n/a
Parallel Parametric Test Capability:
não
Pulse Voltage Range:
-2 V to +2 V
Pulse Width Range:
1 ns to 2 s
Type:
Parametric Test Solution
High throughput 1 ns pulsed IV memory test solution

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