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NX5730A 高スループット1 nsパルスドIVメモリ・テスト・ソリューション
高速パルスドIV測定、精密DC測定を実行
スタート価格:
ハイライト
- シリコンウェーハ上でDCから高速パルスIVテストまでのスピン注入磁化反転方式(STT-MRAM)などの新しいメモリについて、精密かつ高速な特性評価を実現
- STT-MRAMの磁気トンネル接合(MTJ)に正確かつ高速なパルス電圧（1 nsパルスまで）をかけ、MTJの抵抗を精密に測定
- 1つのメモリ・テスト・ソリューションで、代表的なMTJの特性評価テストをすべて実行
- ビット・エラー・レート・テスト(BERT)などのサイクルテストを10～100倍高速化
- 書き込みパルス中のMTJスイッチング波形を明確に捕捉し、可視化
- キーサイトの技術専門知識の詰まった1 ns IV 専用のメモリ・テスト・ソリューション
内容：
- システムキャビネット
- PIVドライバユニット
- PIV レシーバーユニット
主な仕様
最大SPGU出力チャネル数
n/a
最大測定ピン数
2
最小電流測定分解能
1 pA
最小電流測定分解能
n/a
Parallel Parametric Test Capability
いいえ
最大SPGU出力チャネル数
最大測定ピン数
最小電流測定分解能
最小電流測定分解能
Parallel Parametric Test Capability
n/a
2
1 pA
n/a
いいえ
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追加機能:
n/a
形状:
n/a
最大測定ピン数:
2
最大SPGU出力チャネル数:
n/a
最小電流測定分解能:
1 pA
最小電流測定分解能:
n/a
Parallel Parametric Test Capability:
いいえ
Pulse Voltage Range:
-2 V to +2 V
Pulse Width Range:
1 ns to 2 s
タイプ:
Memory Test Solution
NX5730Aに関心をお持ちいただけましたか。
高スループット1 nsパルスドIVメモリ・テスト・ソリューションの機能拡張
ご要望、ご質問はございませんか。