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3D Interconnect Designerは、チップレット、積層ダイ、パッケージ、PCBなど、あらゆる高度な相互接続構造に対応する柔軟なモデリングおよび最適化環境を提供します。
追加のメモリとストレージにより、これらの強化されたNPBは、キーサイトのAIセキュリティおよびパフォーマンス監視ソフトウェアとAIスタックを実行します。
設計および検証の意思決定を加速するための、信頼性の高いアプリケーションノート、データシート、リファレンスデザイン、テスト手順。
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キーサイトExpertソース/メジャーユニット (SMU) は、シングルチャネル構成とデュアルチャネル構成の両方で提供され、並列I/V測定やパワーエレクトロニクス試験に高い柔軟性を提供します。パルス測定機能を備えたキーサイトExpert SMUは、7-in-1機能を提供します。これは、電力と熱を最小限に抑える短いパルスを使用して詳細なI/Vカーブを捕捉するのに最適であり、半導体および先進材料試験における高感度デバイスを保護します。当社の人気構成から選択するか、お客様のアプリケーションに特化した構成を構築してください。
パルスジェネレータ、DMM、電源、電流源、電子負荷、AWG、デジタイザを1台の測定器に統合し、複数のデバイスを同期または設定する必要がありません。
最大3 Aの出力が可能で、パワーエレクトロニクスにおけるMOSFETや高輝度LEDなどの高電流デバイスのテスト、またはバッテリーテストにおける高速充電/放電に最適です。
フロントパネルディスプレイに数値データとグラフィックプロットの両方を表示し、測定値とデバイスの動作の即時相関を可能にします。
長時間の自動テスト向けに大容量データ収集をサポートし、チャネルあたり100,000ポイントのメモリと無限のトリガカウントを備えています。
Source resolution
5.5 digits
最小電流測定分解能
100 fA
Number of channels
1 ~ 2
Pulse output
Yes
最大出力電圧
210 V
最大出力電流
3.0 A DC / 10.5 A pulse
最大サンプルレート
50 kSa/s
Minimum sampling interval
20 µs
B2901C
B2901C高精度ソース/メジャーユニット (SMU) は、電圧と電流を印加および測定可能な、1チャネルのコンパクトでコスト効率の高いベンチトップSMUです。
キーサイトB2901C高精度ソース/メジャーユニット (SMU) は、電圧と電流を正確に印加および測定できる、コンパクトでコスト効率の高い1チャネルSMUです。4象限機能により複数の測定器を必要とせず、使いやすいI/V測定を提供します。B2901Cは、グラフィック表示または数値表示に対応した4.3インチカラーディスプレイを搭載し、追加費用なしでリモート操作用のPC制御ソフトウェアが付属しています。また、従来のSMUセットアップとのシームレスな統合のためにSCPIコマンドをサポートしており、効率的なテストのための高いスループットを確保します。
B2901Cにより、以下のことが可能になります。
B2902C
B2902C高精度ソース/メジャーユニット (SMU) は、2チャネルのコンパクトで費用対効果の高いベンチトップSMUであり、電圧と電流のソースおよび測定が可能です。
キーサイトB2902C高精度ソース/メジャーユニット (SMU) は、電圧と電流を正確に印加および測定できる、コンパクトでコスト効率の高い2チャネルSMUです。4象限機能により複数の測定器を必要とせず、使いやすいI/V測定を提供します。B2902Cは、グラフィック表示または数値表示に対応した4.3インチカラーディスプレイを搭載し、追加費用なしでリモート操作用のPC制御ソフトウェアが付属しています。また、従来のSMUセットアップとのシームレスな統合のためにSCPIコマンドをサポートしており、効率的なテストのための高いスループットを確保します。
B2902Cにより、以下のことが可能になります。
厳選されたサポートプランと、優先的な対応および迅速なターンアラウンドタイムにより、迅速なイノベーションを実現します。
予測可能なリースベースのサブスクリプションとフルライフサイクル管理ソリューションにより、ビジネス目標をより迅速に達成できます。
KeysightCareのサブスクライバーとして、コミットされた技術サポートなど、より質の高いサービスをご体験ください。
テストシステムが仕様どおりに動作し、ローカルおよびグローバルな標準に準拠していることを保証します。
社内での講師主導トレーニングやeラーニングにより、迅速に測定を実施できます。
キーサイトのソフトウェアをダウンロードするか、最新バージョンにアップデートしてください。
ソースメジャーユニット (SMU) を選択する際には、意図するアプリケーションの要件を満たすことを確実にするために、いくつかの主要な仕様を考慮する必要があります。
SMUは、マイクロボルトから数百ボルトまでの低電圧から高電圧、およびフェムトアンペアから数アンペアまでの電流を供給および測定する能力が異なるため、電圧および電流レンジは非常に重要です。これにより、ナノテクノロジーからパワーエレクトロニクス試験まで幅広いアプリケーションに適しています。
分解能と確度は、SMUが信号をどれだけ正確に供給および測定できるかを定義します。ハイエンドモデルは、サブナノボルト(nV)およびフェムトアンペア(fA)の精度を提供し、これは低リーク電流測定や半導体特性評価に不可欠です。
もう1つの重要な要素は、SMUが電力を供給および吸収できる4象限動作です。この機能は、バッテリーシミュレーション、部品試験、およびパワーマネジメントアプリケーションに役立ちます。
測定速度(サンプリングレート)とセトリングタイムは、特に自動化された生産環境において、試験効率に影響を与えます。測定速度が速いほど、スループットの最適化と試験の信頼性向上に貢献します。
コンプライアンス(リミット)設定は、電圧または電流を安全なレベルに制限し、試験中の潜在的な損傷を防ぐことで、高感度デバイスを保護するために不可欠です。USB、GPIB、LAN、LXIなどの接続オプションは、リモート制御と自動化にとって重要であり、試験システムへのシームレスな統合を可能にします。
さらに、IVカーブトレーシング、プログラマブルスイープ、スクリプト作成のソフトウェアサポートによりユーザビリティが向上し、複雑な測定の実行やテストシーケンスの自動化が容易になります。
これらの要素を考慮することで、選択されたSMUが研究、開発、および生産試験に必要な精度、柔軟性、および性能を提供することが保証されます。
ソースメジャーユニット(SMU)は、高精度な電流および電圧供給、正確な測定、および高度な自動化機能を提供することにより、半導体デバイス試験において重要な役割を果たします。これらは、トランジスタ、ダイオード、MOSFET、IGBT、集積回路(IC)などの様々な半導体部品の特性評価に使用されます。
半導体デバイスは高精度なIV(電流-電圧)特性評価を必要とし、SMUは4象限動作を提供することでこれを可能にします。これにより、電流と電圧の供給と吸収の両方が可能になり、能動デバイスと受動デバイスの両方の試験に適しています。
SMUは、しきい値電圧(Vth)、リーク電流(Ioff)、ブレークダウン電圧(BV)、オン抵抗(Rds(on))、ゲイン特性などの重要な半導体パラメータを決定するために使用されます。フェムトアンペア範囲の低電流と高電圧を最小限のノイズとドリフトで測定できる能力は、低電力および高電力半導体デバイスの両方の試験に不可欠です。
さらに、SMUはパルス試験機能を提供し、パワー半導体デバイスにおける自己発熱効果の低減に役立ちます。これにより、デバイスの電気的特性を変化させることなく、正確な特性評価が保証されます。
自動化された半導体試験において、SMUはプローブステーションやウェハテスターとシームレスに統合され、R&Dおよび生産環境の両方で効率的なパラメトリック試験を可能にします。
そのプログラマブルスイープ、コンプライアンスリミット、および高速測定機能により、エンジニアは高精度で再現性のある安全な試験を実施できます。これにより、SMUは半導体研究、故障解析、および業界全体の品質保証において不可欠なものとなっています。
ソースメジャーユニット (SMU) は、電圧または電流を正確に印加し、同時に被測定デバイス (DUT) の対応する応答を高精度で測定することで、電流-電圧 (IV) 特性評価を行います。このプロセスは、半導体、ダイオード、トランジスタ、抵抗器、LED、バッテリー、その他電子部品の電気的特性を解析する上で不可欠です。
SMUは、電圧源モード (電圧を印加し、結果として生じる電流を測定する) または電流源モード (電流を印加し、結果として生じる電圧を測定する) で動作できます。この柔軟性により、IVカーブ生成が可能になり、さまざまな電気的条件下でのデバイスの動作を理解する上で不可欠です。
プログラマブルスイープを使用することで、SMUは指定された範囲で電圧または電流を自動的に変化させながら、対応する出力を連続的に測定できます。これにより、しきい値電圧、リーク電流、抵抗、降伏電圧などの特性を明らかにするIVカーブのプロットが可能になります。
さらに、コンプライアンスリミットを設定して、高感度デバイスを過剰な電圧や電流から保護し、安全で信頼性の高い試験を保証できます。
高度なSMUは、試験中のデバイスの発熱を最小限に抑えるパルス供給と、供給および吸収の両方の条件下での試験を可能にする4象限動作もサポートしています。
このレベルの精度と制御により、SMUはR&Dおよび生産環境の両方で、半導体デバイス特性評価、パワーエレクトロニクス試験、および材料研究に最適なツールとなっています。
ソース・メジャー・ユニット (SMU) におけるDC測定とパルス測定の違いは、電圧または電流が時間とともにどのように印加され、測定されるかにあります。これは、精度、消費電力、および異なるアプリケーションに対する各手法の適合性に影響を与えます。
DC測定では、SMUは連続的で安定した電圧または電流を被測定デバイス (DUT) に印加します。これにより、IVカーブトレーシング、リーク電流テスト、定常状態の半導体特性評価に不可欠な、高精度で長時間の測定が可能になります。ただし、連続的なDCソース供給は自己発熱効果を引き起こす可能性があり、特にパワーデバイス、MOSFET、LEDにおいて、DUTの電気的特性を変化させる可能性があります。
対照的に、パルス測定は短時間の電圧または電流パルスを印加し、熱効果を大幅に低減します。これにより、DUTを過熱または損傷させることなく、より高い電圧または電流での試験が可能になります。パルスモードは、過剰な発熱が不正確な測定値やデバイスの劣化につながる可能性がある、高出力半導体試験、薄膜材料、およびバッテリーシミュレーションに特に有益です。
高度なSMUは、パルス幅、立ち上がり時間、デューティサイクルなどのプログラマブルなパルスパラメータを提供し、印加される信号を正確に制御できます。定常状態解析のためのDCと、熱影響を最小限に抑えるためのパルスを使い分けることで、エンジニアはR&Dおよび生産試験において、精度、再現性、信頼性のために測定を最適化できます。