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무엇을 찾고 있습니까?
3D Interconnect Designer는 칩렛, 스택형 다이, 패키지 및 PCB를 포함한 모든 고급 인터커넥트 구조를 위한 유연한 모델링 및 최적화 환경을 제공합니다.
설계 및 검증 결정을 가속화하기 위한 신뢰할 수 있는 애플리케이션 노트, 데이터 시트, 레퍼런스 디자인 및 테스트 절차.
가장 빈번하게 발생하는 작업 관련 셀프 도움말에 빠르게 액세스할 수 있습니다
제품 요구 사항을 지원하는 추가 콘텐츠
키사이트 Expert 소스 측정 장치(SMU)는 단일 및 듀얼 채널 구성으로 제공되어 병렬 IV 측정 및 전력 전자 테스트에 더 큰 유연성을 제공합니다. 펄스 측정 기능을 갖춘 키사이트 Expert SMU는 7-in-1 기능을 제공하며, 전력과 열을 최소화하는 짧은 펄스를 사용하여 상세한 IV 곡선을 캡처하는 데 이상적이므로 반도체 및 첨단 재료 테스트에서 민감한 장치를 보호합니다. 당사의 인기 있는 구성 중 하나를 선택하거나 특정 애플리케이션에 맞게 구성하십시오.
펄스 발생기, DMM, 전원 공급 장치, 전류원, 전자 부하, AWG 및 디지타이저를 하나의 장비에 통합하여 여러 장치를 동기화하거나 구성할 필요가 없습니다.
최대 3 A 출력을 제공하여 전력 전자 분야에서 MOSFET 또는 고휘도 LED와 같은 고전류 장치 테스트에 이상적이며, 배터리 테스트를 위한 더 빠른 충전/방전에도 적합합니다.
전면 패널 디스플레이에 수치 데이터와 그래픽 플롯을 모두 표시하여 측정값과 디바이스 동작 간의 즉각적인 상관 관계를 파악할 수 있습니다.
채널당 100,000포인트의 메모리와 무한한 트리거 카운트를 통해 장시간 자동화 테스트를 위한 대용량 데이터 수집을 지원합니다.
Source resolution
5.5 digits
최소 전류 측정 분해능
100 fA
Number of channels
1 ~ 2
Pulse output
Yes
출력당 최대 전압
210 V
출력당 최대 전류
3.0 A DC / 10.5 A pulse
Maximum sample rate
50 kSa/s
Minimum sampling interval
20 µs
B2901C
B2901C 정밀 소스/측정 장치(SMU)는 전압 및 전류를 소싱하고 측정할 수 있는 1채널, 소형, 비용 효율적인 벤치탑 SMU입니다.
키사이트 B2901C 정밀 소스/측정 장치(SMU)는 전압과 전류를 정확하게 소싱하고 측정하는 콤팩트하고 비용 효율적인 1채널 SMU입니다. 4사분면 기능으로 여러 장비 없이도 사용자 친화적인 I/V 측정을 제공합니다. B2901C는 그래픽 또는 수치 측정을 위한 4.3인치 컬러 디스플레이를 갖추고 있으며, 추가 비용 없이 원격 작동을 위한 PC 제어 소프트웨어를 포함합니다. 또한 기존 SMU 설정과의 원활한 통합을 위한 SCPI 명령을 지원하여 효율적인 테스트를 위한 높은 처리량을 보장합니다.
B2901C는 다음 작업을 수행할 수 있도록 지원합니다:
B2902C
B2902C 정밀 소스/측정 장치(SMU)는 전압과 전류를 소싱하고 측정할 수 있는 2채널의 컴팩트하고 비용 효율적인 벤치탑 SMU입니다.
키사이트 B2902C 정밀 소스/측정 장치(SMU)는 전압과 전류를 정밀하게 소싱하고 측정하는 컴팩트하고 비용 효율적인 2채널 SMU입니다. 4사분면 기능을 통해 여러 장비 없이도 사용자 친화적인 I/V 측정을 제공합니다. B2902C는 그래픽 또는 수치 측정을 위한 4.3인치 컬러 디스플레이를 갖추고 있으며, 추가 비용 없이 원격 작동을 위한 PC 제어 소프트웨어를 포함합니다. 또한 기존 SMU 설정과의 원활한 통합을 위한 SCPI 명령을 지원하여 효율적인 테스트를 위한 높은 처리량을 보장합니다.
B2902C를 통해 다음을 수행할 수 있습니다:
엄선된 지원 플랜과 우선적인 응답 및 처리 시간을 통해 빠르게 혁신하십시오.
예측 가능한 리스 기반 구독 및 전체 수명 주기 관리 솔루션을 통해 비즈니스 목표를 더 빠르게 달성하십시오.
KeysightCare 구독자로서 향상된 서비스를 경험하고 전담 기술 지원 및 더 많은 혜택을 받으세요.
테스트 시스템이 사양에 따라 작동하고 현지 및 글로벌 표준을 충족하는지 확인하십시오.
사내 강사 주도 교육 및 이러닝을 통해 신속하게 측정하십시오.
키사이트 소프트웨어를 다운로드하거나 최신 버전으로 업데이트하십시오.
소스 측정 장치(SMU)를 선택할 때, 의도된 애플리케이션의 요구 사항을 충족하는지 확인하기 위해 몇 가지 주요 사양을 고려해야 합니다.
SMU는 마이크로볼트에서 수백 볼트까지의 저전압에서 고전압, 펨토암페어에서 수 암페어까지의 전류를 소싱하고 측정하는 능력에 따라 다양하므로, 전압 및 전류 범위는 매우 중요합니다. 이러한 특성으로 인해 나노기술부터 전력 전자 테스트에 이르는 다양한 애플리케이션에 적합합니다.
분해능과 정확도는 SMU가 신호를 얼마나 정밀하게 소싱하고 측정할 수 있는지를 결정합니다. 고급 모델은 서브 나노볼트(nV) 및 펨토암페어(fA) 정밀도를 제공하며, 이는 낮은 누설 전류 측정 및 반도체 특성화에 필수적입니다.
또 다른 중요한 요소는 SMU가 전력을 소싱하고 싱크할 수 있도록 하는 4사분면 동작입니다. 이 기능은 배터리 시뮬레이션, 부품 테스트 및 전력 관리 애플리케이션에 유용합니다.
측정 속도(샘플링 속도)와 안정화 시간은 특히 자동화된 생산 환경에서 테스트 효율성에 영향을 미칩니다. 더 빠른 측정 속도는 처리량을 최적화하고 테스트 신뢰성을 향상시키는 데 도움이 됩니다.
컴플라이언스(제한) 설정은 전압 또는 전류를 안전한 수준으로 제한하여 민감한 장치를 보호하고 테스트 중 발생할 수 있는 잠재적 손상을 방지하는 데 필수적입니다. USB, GPIB, LAN 또는 LXI와 같은 연결 옵션은 원격 제어 및 자동화에 중요하며, 테스트 시스템에 원활하게 통합할 수 있도록 합니다.
또한 IV 곡선 트레이싱, 프로그래밍 가능한 스윕 및 스크립팅을 위한 소프트웨어 지원은 사용 편의성을 향상시켜 복잡한 측정을 수행하고 테스트 시퀀스를 자동화하는 것을 더 쉽게 만듭니다.
이러한 요소를 고려하면 선택된 SMU가 연구, 개발 및 생산 테스트에 필요한 정밀도, 유연성 및 성능을 제공하는지 보장합니다.
소스 측정 장치(SMU)는 정밀한 전류 및 전압 소싱, 정확한 측정 및 고급 자동화 기능을 제공하여 반도체 소자 테스트에서 중요한 역할을 합니다. 트랜지스터, 다이오드, MOSFET, IGBT 및 집적 회로(IC)와 같은 다양한 반도체 부품을 특성화하는 데 사용됩니다.
반도체 소자는 고도로 정확한 IV(전류-전압) 특성화를 필요로 하며, SMU는 4사분면 동작을 제공하여 이를 가능하게 합니다. 이를 통해 전류와 전압을 모두 소싱하고 싱크할 수 있어 능동 및 수동 소자 모두를 테스트하는 데 적합합니다.
SMU는 임계 전압(Vth), 누설 전류(Ioff), 항복 전압(BV), 온 저항(Rds(on)), 이득 특성과 같은 주요 반도체 파라미터를 결정하는 데 사용됩니다. 페르토암페어 범위의 낮은 전류와 높은 전압을 최소한의 노이즈와 드리프트로 측정할 수 있는 SMU의 기능은 저전력 및 고전력 반도체 디바이스를 모두 테스트하는 데 필수적입니다.
또한 SMU는 펄스 테스트 기능을 제공하여 전력 반도체 장치의 자체 발열 효과를 줄이는 데 도움이 됩니다. 이를 통해 장치의 전기적 특성을 변경하지 않고도 정확한 특성화를 보장합니다.
자동화된 반도체 테스트에서 SMU는 프로브 스테이션 및 웨이퍼 테스터와 원활하게 통합되어 R&D 및 생산 환경 모두에서 효율적인 파라메트릭 테스트를 가능하게 합니다.
프로그래밍 가능한 스윕, 컴플라이언스 제한 및 고속 측정 기능을 통해 엔지니어는 정밀하고 반복 가능하며 안전한 테스트를 수행할 수 있습니다. 이로 인해 SMU는 업계 전반의 반도체 연구, 불량 분석 및 품질 보증에 필수적인 요소가 됩니다.
SMU(Source Measure Unit)는 전압 또는 전류를 정밀하게 소싱하면서 DUT(Device Under Test)의 해당 응답을 높은 정확도로 동시에 측정하여 전류-전압(IV) 특성화를 수행합니다. 이 프로세스는 반도체, 다이오드, 트랜지스터, 저항기, LED, 배터리 및 기타 전자 부품의 전기적 특성을 분석하는 데 필수적입니다.
SMU는 전압 소스 모드(전압을 인가하고 결과 전류를 측정) 또는 전류 소스 모드(전류를 인가하고 결과 전압을 측정)로 작동할 수 있습니다. 이러한 유연성은 IV 곡선 생성을 가능하게 하며, 이는 다양한 전기적 조건에서 장치의 동작을 이해하는 데 중요합니다.
프로그래밍 가능한 스윕을 사용하여 SMU는 지정된 범위에서 전압 또는 전류를 자동으로 변경하면서 해당 출력을 지속적으로 측정할 수 있습니다. 이를 통해 임계 전압, 누설 전류, 저항 및 항복 전압과 같은 특성을 나타내는 IV 곡선을 플로팅할 수 있습니다.
또한, 컴플라이언스 제한을 설정하여 민감한 장치를 과도한 전압 또는 전류로부터 보호하고 안전하고 신뢰할 수 있는 테스트를 보장할 수 있습니다.
고급 SMU는 테스트 중 디바이스 발열을 최소화하는 펄스 소싱과 소싱 및 싱크 조건 모두에서 테스트를 허용하는 4사분면 작동도 지원합니다.
이러한 정밀도와 제어 수준 덕분에 SMU는 R&D 및 생산 환경 모두에서 반도체 장치 특성화, 전력 전자 테스트 및 재료 연구에 선호되는 도구입니다.
SMU(Source Measure Unit)에서 DC 측정과 펄스 측정의 차이점은 시간 경과에 따라 전압 또는 전류가 인가되고 측정되는 방식에 있습니다. 이는 정확도, 전력 소모 및 각 방법의 다양한 애플리케이션에 대한 적합성에 영향을 미칩니다.
DC 측정에서 SMU는 DUT(Device Under Test)에 연속적이고 안정적인 전압 또는 전류를 인가합니다. 이를 통해 IV 곡선 트레이싱, 누설 전류 테스트 및 정상 상태 반도체 특성화에 필수적인 정밀하고 장시간 측정이 가능합니다. 하지만 연속적인 DC 소싱은 자체 발열 효과를 유발하여 특히 전력 소자, MOSFET 및 LED에서 DUT의 전기적 특성을 변경할 수 있습니다.
이와 대조적으로, 펄스 측정은 단시간 전압 또는 전류 펄스를 인가하여 열 효과를 크게 줄입니다. 이를 통해 DUT를 과열시키거나 손상시키지 않고 더 높은 전압 또는 전류 테스트를 수행할 수 있습니다. 펄스 모드는 고전력 반도체 테스트, 박막 재료 및 배터리 시뮬레이션에 특히 유용하며, 과도한 발열이 부정확한 판독값이나 장치 성능 저하로 이어질 수 있습니다.
고급 SMU는 펄스 폭, 상승 시간 및 듀티 사이클을 포함한 프로그래밍 가능한 펄스 파라미터를 제공하여 인가된 신호에 대한 정밀한 제어를 가능하게 합니다. 정상 상태 분석을 위한 DC와 열 영향을 최소화하기 위한 펄스 중에서 선택함으로써 엔지니어는 R&D 및 생산 테스트에서 정확도, 반복성 및 신뢰성을 위해 측정을 최적화할 수 있습니다.