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測試您的裝置對修改後的時脈訊號攻擊的抵抗力。時脈毛刺注入是一種技術，透過暫時修改目標裝置的供應時脈至不同的時脈週期，導致裝置行為偏離其正常行為。這種偏差可能導致漏洞和攻擊。

DS1150A 時脈毛刺產生器透過向目標裝置供應正常時脈訊號以及修改後的時脈訊號來運作，讓您能夠測試您的裝置是否能抵抗使用修改後時脈訊號來破壞其安全性的攻擊者。

• 包含兩個可獨立配置的內部時脈產生器
• 根據觸發訊號在正常時脈和毛刺時脈之間切換
• 時脈訊號介於 1 KHz 和 300 MHz 之間；電壓位準介於 -1 V 和 +4 V 之間
• 毛刺時脈具有三種時脈模式：可配置數位輸出、隨機數位輸出和隨機類比輸出
• 彈性類比前端可輕鬆連接各種目標類型
• 參考訊號量測產生的時脈訊號
• 包含 Piñata target 並公開時脈訊號

主動式電流探棒是一種高頻探棒，可主動拾取電流。高靈敏度的 DS1202A 用於旁通道分析，以量測目標裝置的功耗，它插入目標的電源線中，可傳輸高達 2 GHz 的電流變化。主動式電流探棒與基座單元結合使用，基座單元可用於放大測得的訊號。

• 頻寬 1 MHz–2,000 MHz
• 最大連續電流 100 mA (RMS) AC
• 最大脈衝電流 5 A
• 電流測量電路 ≤ 0.082 Ω, ≤ 0.042 µH
• 搭配基座單元，最大增益為 40 dB

高精度電磁探針是一種用於側通道分析的高度靈敏探針，可拾取半導體電路發出的電磁輻射。該探針具有一種機制，可讓您更換三種不同尺寸的探針尖端：0.2 毫米、0.5 毫米和 1.25 毫米。所有尖端均具有定向線圈和保護性鐵氟龍外殼。通常與 XYZ 運動平台結合使用，該探針可以拾取高達 6 GHz 頻率的電磁場，並將其轉換為交流訊號。

DS1203B 透過在目標表面移動，可以找到高活性電路或熱點。在熱點上拾取的信號構成簡單或差分電磁分析的量測結果。高精度電磁探棒具有可變增益機制，您可以手動設定或透過外部裝置設定，並可根據目標特性而變化。

現已包含全新改良的放大器單元 

1.5 A 脈衝雜訊放大器旨在讓您的故障注入測試適用於廣泛的嵌入式目標。輕鬆連接 1.5 A 脈衝雜訊放大器至 DS1180A 和 DS1070A/71A，以在目標上產生尖銳且精確的脈衝雜訊，並連接至示波器以量測和查看您產生的脈衝雜訊。

1.5 A 突波放大器專為驅動嵌入式處理器的輸入接腳而設計，其輸出阻抗幾乎為 0 Ω。DS1140B 可在 0 至 4 伏特 (V) 之間作為單一電源供應器運作。此電壓在 Inspector 中設定，並透過 DS1180A 和 DS1070A/71A 進行控制。

1.5 A 脈衝雜訊放大器的放大係數為二。例如，當設定連續電壓位準為 2 V 和脈衝雜訊峰值電壓為 3 V 時，DS1180A 和 DS1070A/71A 與 1.5 A 脈衝雜訊放大器之間的電壓位準分別為 1 V 和 1.5 V。因此，DS1140B 與嵌入式處理器之間的電壓位準分別為 2 V 和 3 V。

• 全新改良的放大器單元
• 由於更精確的故障觸發，提高了故障觸發成功率
• 整合式電流和功率監測器
• 將 DS1180A 和 DS1070A/71A 產生的毛刺放大至高達 1.5 A 峰對峰值
• 允許對 FPGA 和 SOC 等嵌入式裝置進行故障注入
• 透過 Glitch Amplifier 提供的三個輸出連接器之一，輕鬆連接至您的目標
• 易於緊密地置於目標上方 
• 包含雜訊放大器探針
• 選配 3D 定位器 (適用於毛刺放大器探針)
• 可與 EM 探棒工作站底板搭配使用。Glitch Amplifier II 完全符合底板的網格。

故障注入的對策正變得越來越先進。為了繞過其中一些對策，安全評估人員需要能夠在不同位置產生多個雷射脈衝。DS1102A 讓您能夠產生兩個具有獨立位置和時間的雷射光點。

• 搭配不同的雷射光源使用
• 加快評估流程
• 搭配 DPSS 雷射執行多脈衝攻擊。
• 透過 Inspector 控制自動化掃描以及兩個雷射光點的電動定位。
• 實現高定位準確度和解析度
• 使用寬廣視野，在晶片上兩個雷射光點之間產生相對較大的距離。

DS1031A 硬體加密訓練目標是一款基於 ARM Cortex-M4F 核心的開發板，工作時脈速度為 168MHz。它經過實體修改和程式設計，可作為側通道分析 (SCA) 和故障注入 (FI) 攻擊的訓練目標。目標隨附的原始碼和整合開發環境 (IDE) 也允許將其用於開發和原型設計。

• 適用於被動式側通道分析 (SCA) 攻擊（例如差分功率分析 (DPA)）和主動式故障注入 (FI) 攻擊（例如差分故障分析 (DFA)）的具挑戰性訓練目標
• 精確模擬目前的 32 位元嵌入式裝置；硬體加密的實作方式與現有裝置類似 
• 行為穩定；可承受來自 FI 的意外永久性損壞
• 可配置的對策

DS1110A 445 奈米多模故障注入雷射採用高功率額定值的多模雷射二極體，可實現大光斑尺寸和光斑內足夠強度的粗略晶片表面掃描。

• 445 奈米波長藍色雷射
• 雷射脈衝功率：3 瓦
• 可配置的脈衝長度，最短可達 2 奈秒
• 高脈衝頻率可實現多脈衝故障注入攻擊
• 觸發脈衝與實際光脈衝之間的短延遲，結合最小抖動，可實現精確的雷射脈衝計時。
• 廣泛的光斑尺寸範圍：可透過物鏡和光斑尺寸縮減器選擇從粗略到詳細的晶片表面掃描。
• 長壽命雷射二極體，老化程度極小
• 可與 Keysight 產品 DS1101A、DS1102A、DS1160A 和 DS1180A 整合

DS1104 安裝在 DS1010A 精密 XYZ 平台上。當提供燕尾介面且波長落在支援範圍內時，它可與 Keysight 雷射源、Keysight 二極體雷射、DPSS 雷射和第三方雷射搭配使用。 

• 安裝於 DS1010A 精密 XYZ 平台
• 正面和背面攻擊 
• 支援 700 nm 至 1100 nm 雷射光源，包括近紅外線 (NIR)
• 隨附近紅外線 (NIR) 相機、5 倍物鏡與光點尺寸縮減器

故障放大器探針可讓您直接在晶片的焊接引腳上注入故障脈衝，無需切斷電源線。選配的 3D 定位器可用於安裝探針並將其定位在目標上方。

DS1322A 由故障放大器驅動，可將高速故障脈衝注入嵌入式目標，而無需將故障放大器用作目標的電源。透過將故障放大器的「輸出」SMB 連接到故障放大器探針，您可以將探針放置在目標 VCC 引腳上，並將接地夾連接到目標接地，以注入故障。故障放大器探針具有彈簧加載的尖端，便於定位。

高精密度故障注入探針尖端可利用強大的電磁脈衝提供精確的局部毛刺。我們獨特的生產技術可產生具有小線圈的高精密度尖端，這些線圈可產生局部毛刺，即使有多個繞組，仍能提供足夠的功率來驅動成功的故障注入嘗試。由於我們的線圈較小，因此與較大的探針尖端相比，我們的高精密度故障注入探針尖端的穿透深度較低，因此可能需要準備或去蓋晶片。

• 縮小注入故障的影響範圍，讓您更容易精確分析晶片中哪些部分存在漏洞。
• 提高故障注入成功率
• 由於探針尖端功率高，不一定需要對晶片進行開蓋。

體偏壓注入 (BBI) 是一種相對較新的故障注入技術，已被多種安全性測試方案採用。透過使用 DS1320A 體偏壓注入探針擴展 DS1120A 或 DS1120B 單向故障注入探棒，您可以確保您的晶片能夠抵禦此技術。BBI 探針可在非常小的位置注入故障，讓您能夠將安全漏洞精確定位到更具體的位置。

• 在專用套件中獲得全面的 BBI 攻擊覆蓋範圍：正向 (FBBI)、反向 (RBBI)，以及適用於所有晶片攻擊情境的寬電壓範圍
• 包含兩個高電壓和低電壓的 FBBI 探針和兩個 RBBI 探針
• 使用彈簧驅動探針防止基板刮傷
• 以 200 V 最大輸出穿透厚基板
• 透過 SMA 連接器輕鬆連接到 DS1120A 或 DS1120B 單向故障注入探棒