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測定プローブはサイドチャネル解析の基本コンポーネントであり、セキュリティエンジニアがデバイスの動作中に生成する消費電力や電磁放射をキャプチャできるようにします。これらの物理信号には、内部計算と相関する情報が含まれている可能性があり、機密データを漏洩させる可能性のあるリークの特定や、暗号実装の脆弱性の露呈に役立ちます。
セキュリティ評価プロセス全体で使用される測定プローブは、研究者や開発チームが潜在的な脆弱性を調査し、実装された対策の有効性を検証し、サイドチャネル攻撃に対する組み込みデバイスの耐性を評価するのに役立ちます。デバイスの実際の動作を可視化することで、セキュリティ上重要な動作中にハードウェアとソフトウェアがどのように相互作用するかについての深い理解が可能になります。
電力解析と電磁界解析の両方の手法をサポートする測定プローブは、セキュア・エレメント、スマートカード、マイクロコントローラ、FPGA、システム・オン・チップ(SoC)デバイス、およびその他の組み込みテクノロジーの評価に一般的に使用されます。脆弱性調査、認証準備、製品開発、セキュリティテストのいずれの目的で使用する場合でも、高品質な信号取得は、正確で再現性のあるサイドチャネル解析の基盤となります。
デバイスの消費電力のわずかな変動を測定してリークを特定し、電力解析評価をサポートします。
正確で再現性のあるサイドチャネル解析に必要な感度と精度で、低振幅信号を取得します。
(SPD)N6700の製品タイプ
Passive current probe, Active current probe, High precision electromagnetic probe
帯域幅
1 MHz - 1 GHz ~ Up to 6 GHz
Connector type
SMA, BNC / SMB
最大電流(実効値)
90 mA AC ~ 100 mA AC
Technology
Device Security
DS1203B
DS1203B高精度電磁界プローブは、サイドチャネル解析で使用される非常に高精度なプローブであり、半導体回路からの電磁放射を検出します。
高精度電磁プローブは、サイドチャネル解析で使用される高感度プローブであり、半導体回路からの電磁放射を検出します。このプローブは、0.2 mm、0.5 mm、1.25 mmの3種類の異なるサイズのプローブチップを交換できるメカニズムを備えています。すべてのチップは指向性コイルと保護テフロンシェルを備えています。通常、XYZモーションプラットフォームと組み合わせて使用され、最大6 GHzの周波数の電磁界を検出し、それらをAC信号に変換できます。
DS1203Bは、ターゲットの表面を移動することで、活性度の非常に高い回路(ホットスポット)を見つけることができます。ホットスポットで検出された信号は、単純電磁解析または差動電磁解析の測定値となります。高精度電磁界プローブには可変利得機構があり、手動または外部デバイスを介して設定でき、ターゲットの特性に応じて変化させることができます。
新しく改良されたアンプユニットを搭載
DS1201A
DS1201Aパッシブ電流プローブは、サイドチャネル解析時に、システム・オン・チップ・デバイスやFPGAなどの組み込みデバイスの消費電流を測定します。
組み込みテクノロジーの消費電力測定を行ってサイドチャネル解析を実行するには、測定セットアップにおいて特有の課題が生じます。組み込みデバイスの電源ラインは一般的にノイズが多く、信号の伝送速度が速く、例えばスマートカードなどと比較してフォームファクタが大きく変動します。DS1201Aパッシブ電流プローブを使用して、システム・オン・チップ(SoC)デバイスやフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)などの組み込みデバイスに対するサイドチャネル解析の実行という課題に取り組んでください。
DS1202A
DS1202Aアクティブ電流プローブは、電流を検出し、ターゲットデバイスの消費電力を測定する高感度プローブです。
アクティブ電流プローブは、電流を能動的に検出する高周波プローブです。サイドチャネル解析においてターゲットデバイスの消費電力を測定するために使用され、高感度なDS1202Aはターゲットの電源ラインに挿入され、最大2 GHzの電流変動を伝送できます。アクティブ電流プローブは、測定信号を増幅するために使用できるベースユニットと組み合わせて使用されます。
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測定プローブは、消費電力や電磁放射など、動作中にデバイスから発生する物理信号をキャプチャします。これらの信号には、内部の演算や暗号処理と相関のある情報が含まれている場合があり、エンジニアが潜在的なサイドチャネル漏洩を特定するのに役立ちます。
サイドチャネル評価では、消費電力や電磁放射のわずかな変動の検出に依存することがよくあります。高品質な信号集録により、測定精度の向上、ノイズの低減、セキュリティ評価結果の信頼性向上が図れます。
電流プローブは、通常、電力解析評価の実行時に使用されます。消費電流を測定することで、サイドチャネル漏洩や暗号学的脆弱性の解析に使用できる電力トレースをキャプチャできるようになります。
最適なプローブは、ターゲットデバイス、評価の目的、テスト手法によって異なります。アプリケーションによっては電流プローブを使用した電力解析に適している場合もあれば、電磁界解析が適している場合もあります。お客様のユースケースやテスト環境に最も適したソリューションを特定するため、キーサイトのデバイスセキュリティチームにご相談いただくことをお勧めします。
サイドチャネル漏洩とは、動作中のデバイスの消費電力、電磁放射、タイミング動作、その他の観測可能な特性などの物理的影響を通じて、意図せず外部に漏洩する情報を指します。
電力解析は、デバイスの消費電力の変動を測定して潜在的な情報漏洩を特定します。電磁界(EM)解析は、デバイスの動作によって生成される電磁放射を測定し、エンジニアが回路の特定領域における局所的な動作を調査できるようにします。
ターゲットの電源ラインに直接挿入され、電源ソースとデバイスの間に配置されることで、電流の変動をリアルタイムでキャプチャします。
これらの測定プローブは、以下をはじめとする幅広い組込みデバイスの評価に使用できます:
はい。測定プローブは、評価ラボ、認証機関、半導体企業、製品セキュリティチームによって、サイドチャネル評価の実行やセキュリティ要件の検証に一般的に使用されています。
はい。サイドチャネル漏洩信号は微小で観測が困難であることが多いため、正確で再現性の高い結果を得るには、通常、専用の測定プローブと集録ハードウェアが必要になります。