Como caracterizar o desempenho de comutação do GaN

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Analisador de Dispositivos de Potência Dinâmica / Testador de Pulso Duplo
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Caracterizar o comportamento de comutação rápida do GaN

O teste de pulso duplo em dispositivos de potência de nitreto de gálio (GaN) exige o controle das capacitâncias parasitas do circuito de alimentação, do circuito de porta e do circuito de barramento CC, além da captura das rápidas transições de tensão e corrente geradas durante a comutação. A configuração de medição combina um circuito de comutação indutiva, acionamento de porta, indutância de carga, medições de tensão e corrente e conexões do dispositivo em teste com capacitâncias parasitas e largura de banda de medição suficientemente baixas para as formas de onda de comutação do GaN.

Durante o teste, dois pulsos de porta estabelecem a corrente necessária e capturam o comportamento de ativação e desativação do dispositivo. As formas de onda de tensão, corrente e porta podem então ser usadas para caracterizar o comportamento de chaveamento e os parâmetros dinâmicos relacionados. A caracterização do GaN também pode incluir a resistência dinâmica dreno-fonte (Rds(on)), onde um circuito de fixação rápida permite a medição da baixa tensão de dreno no estado ligado após a transição de chaveamento.

Solução de Caracterização de Pulso Duplo de GaN

O teste de pulso duplo em GaN exige um circuito de comutação com baixa capacitância parasita, juntamente com medições de tensão e corrente de alta largura de banda capazes de capturar transições de comutação rápidas. O Analisador de Dispositivos de Potência Dinâmico/Testador de Pulso Duplo da Keysight combina instrumentação, sondas, sistema de segurança, software de controle automatizado, rotinas de autocalibração e dispositivo de fixação com placas de teste GaN personalizadas. As placas integram capacitores de barramento de corrente contínua (CC) e de desacoplamento, drivers de gate personalizados, conexões de sonda, constantes de calibração e um circuito de fixação para medições dinâmicas de resistência de condução dreno-fonte (Rds(on)). As tecnologias de Caracterização de GaN Repetível e Confiável (R2GC) da Keysight também abordam a detecção de corrente, a conexão do dispositivo e resistores de gate substituíveis.
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Como caracterizar o desempenho de comutação do GaN

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