GaN 스위칭 성능 특성화 방법

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동적 전력 소자 분석기/이중 펄스 테스터
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고속 GaN 스위칭 거동 특성화

질화갈륨(GaN) 전력 디바이스의 이중 펄스 테스트를 수행하려면 스위칭 중에 발생하는 빠른 전압 및 전류 천이를 캡처하는 동시에 전력 루프, 게이트 루프 및 직류(DC) 링크 루프 기생 성분을 제어해야 합니다. 측정 설정은 유도성 스위칭 회로, 게이트 드라이브, 부하 인덕턴스, 전압 및 전류 측정, 그리고 GaN 스위칭 파형에 충분히 낮은 기생 성분과 측정 대역폭을 갖춘 피시험 디바이스 연결을 결합합니다.

테스트 중에 두 개의 게이트 펄스가 필요한 전류를 설정하고 디바이스의 턴온 및 턴오프 거동을 캡처합니다. 그런 다음 전압, 전류 및 게이트 파형을 사용하여 스위칭 거동과 관련 동적 파라미터를 특성화할 수 있습니다. GaN 특성화에는 동적 드레인-소스 온저항(Rds(on)) 측정 도 포함될 수 있으며, 여기서 고속 클램프 회로를 사용하면 스위칭 천이 후 낮은 온상태 드레인 전압을 측정할 수 있습니다.

GaN 이중 펄스 특성 분석 솔루션

GaN 이중 펄스 테스트에는 고속 스위칭 천이를 캡처할 수 있는 고대역폭 전압 및 전류 측정과 함께 기생 성분이 낮은 스위칭 회로가 필요합니다. 키사이트 동적 전력 디바이스 분석기 / 이중 펄스 테스터는 계측기, 프로브, 안전 시스템, 자동 제어 소프트웨어, 자동 교정 루틴, 지그를 맞춤형 GaN 테스트 보드와 결합합니다. 이 보드는 직류(DC) 링크 및 디커플링 콘덴서, 맞춤형 게이트 드라이버, 프로브 연결, 교정 상수를 통합하며, 동적 드레인-소스 온저항(Rds(on)) 측정을 위한 클램프 회로를 포함합니다. 또한 키사이트의 재현 가능하고 신뢰할 수 있는 GaN 특성화(R2GC) 기술은 전류 센싱, 디바이스 연결 및 교체 가능한 게이트 저항 문제를 해결합니다.
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