Come caratterizzare le prestazioni di commutazione GaN

Caratterizzazione del comportamento di commutazione rapida del GaN

Il test a doppio impulso dei dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) richiede il controllo delle capacità parassite del circuito di alimentazione, del circuito di gate e del circuito di collegamento in corrente continua (CC), consentendo al contempo di acquisire le rapide transizioni di tensione e corrente generate durante la commutazione. La configurazione di misura combina un circuito di commutazione induttivo, un circuito di pilotaggio del gate, un circuito di induttanza di carico, misurazioni di tensione e corrente e connessioni al dispositivo in prova, con capacità parassite e larghezza di banda di misura sufficientemente basse per le forme d'onda di commutazione del GaN.

Durante il test, due impulsi di gate stabiliscono la corrente richiesta e catturano il comportamento di accensione e spegnimento del dispositivo. Le forme d'onda di tensione, corrente e gate possono quindi essere utilizzate per caratterizzare il comportamento di commutazione e i relativi parametri dinamici. La caratterizzazione del GaN può includere anche la resistenza dinamica drain-source (Rds(on)), dove un circuito di blocco rapido consente la misurazione della bassa tensione di drain nello stato di conduzione dopo la transizione di commutazione.

Soluzione per la caratterizzazione a doppio impulso del GaN

Il test a doppio impulso del GaN richiede un circuito di commutazione a bassa parassita, unitamente a misurazioni di tensione e corrente ad alta larghezza di banda in grado di catturare transizioni di commutazione rapide. Il Keysight Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester combina la sua strumentazione, le sonde, il sistema di sicurezza, il software di controllo automatizzato, le routine di autocalibrazione e il dispositivo di fissaggio con schede di test GaN personalizzate. Le schede integrano condensatori di collegamento in corrente continua (CC) e di disaccoppiamento, driver di gate personalizzati, connessioni delle sonde, costanti di calibrazione e un circuito di blocco per misurazioni dinamiche della resistenza di conduzione drain-source (Rds(on)). Le tecnologie di caratterizzazione GaN ripetibile e affidabile (R2GC) di Keysight si occupano anche del rilevamento della corrente, della connessione dei dispositivi e delle resistenze di gate sostituibili.

Risoluzione minima della misura di corrente	10 fA
Corrente di uscita massima	200 A
Tipo	Analizzatore di dispositivi di potenza Tester a doppio impulso

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Soluzione per la caratterizzazione a doppio impulso del GaN

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PD1500A Analizzatore dinamico di dispositivi di potenza/Tester a doppio impulso

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Come misurare e caratterizzare con precisione la carica di gate (Qg) dei dispositivi in SiC

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