Cómo caracterizar el rendimiento de conmutación de GaN

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Caracterizar el comportamiento de conmutación rápida de GaN

Las pruebas de doble pulso en dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) requieren el control de los parámetros parásitos del bucle de potencia, del bucle de puerta y del bucle de enlace de corriente continua (CC), al tiempo que se capturan las rápidas transiciones de voltaje y corriente generadas durante la conmutación. El sistema de medición combina un circuito de conmutación inductivo, un controlador de puerta, mediciones de inductancia de carga, voltaje y corriente, y conexiones del dispositivo bajo prueba con parámetros parásitos suficientemente bajos y un ancho de banda de medición adecuado para las formas de onda de conmutación del GaN.

Durante la prueba, dos pulsos de puerta establecen la corriente requerida y registran el comportamiento de encendido y apagado del dispositivo. Las formas de onda de voltaje, corriente y puerta se pueden utilizar para caracterizar el comportamiento de conmutación y los parámetros dinámicos relacionados. La caracterización del GaN también puede incluir la resistencia dinámica de encendido entre drenador y fuente (Rds(on)), donde un circuito de sujeción rápida permite medir el bajo voltaje de drenaje en estado de encendido después de la transición de conmutación.

Solución de caracterización de GaN mediante doble pulso

Las pruebas de doble pulso de GaN requieren un circuito de conmutación de baja parasiticidad junto con mediciones de voltaje y corriente de alto ancho de banda capaces de capturar transiciones de conmutación rápidas. El analizador de dispositivos de potencia dinámica/probador de doble pulso de Keysight combina su instrumentación, sondas, sistema de seguridad, software de control automatizado, rutinas de autocalibración y soporte con placas de prueba de GaN personalizadas. Las placas integran condensadores de enlace de corriente continua (CC) y desacoplamiento, controladores de puerta personalizados, conexiones de sonda, constantes de calibración y un circuito de sujeción para mediciones dinámicas de resistencia de encendido drenador-fuente (Rds(on)). Las tecnologías de caracterización de GaN repetible y confiable (R2GC) de Keysight también abordan la detección de corriente, la conexión de dispositivos y las resistencias de puerta reemplazables.
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Cómo caracterizar el rendimiento de conmutación de GaN

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