Wie man die Schaltleistung von GaN charakterisiert

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Charakterisierung des schnellen GaN-Schaltverhaltens

Die Doppelpulsprüfung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleitern erfordert die Kontrolle der parasitären Effekte im Leistungskreis, Gate-Kreis und Zwischenkreis sowie die Erfassung der schnellen Spannungs- und Stromänderungen während des Schaltvorgangs. Der Messaufbau kombiniert eine induktive Schaltschaltung, eine Gate-Ansteuerung, Lastinduktivitäts-, Spannungs- und Strommessungen sowie Anschlüsse für den Prüfling. Dabei werden ausreichend geringe parasitäre Effekte und eine ausreichende Messbandbreite für die Schaltvorgänge von GaN-Bauelementen gewährleistet.

Während des Tests erzeugen zwei Gate-Impulse den erforderlichen Strom und erfassen das Ein- und Ausschaltverhalten des Bauelements. Spannung, Strom und Gate-Signalverläufe dienen anschließend zur Charakterisierung des Schaltverhaltens und zugehöriger dynamischer Parameter. Die Charakterisierung von GaN kann auch die dynamische Drain-Source-Widerstandskontrolle (Rds(on)) umfassen, wobei eine schnelle Klemmschaltung die Messung der niedrigen Drain-Spannung im eingeschalteten Zustand nach dem Schaltvorgang ermöglicht.

GaN-Doppelimpuls-Charakterisierungslösung

GaN-Doppelpuls-Tests erfordern eine Schaltschaltung mit geringen parasitären Effekten sowie Spannungs- und Strommessungen mit hoher Bandbreite, die schnelle Schaltvorgänge erfassen können. Der Keysight Dynamic Power Device Analyzer / Double-Pulse Tester kombiniert seine Messtechnik, Sonden, sein Sicherheitssystem, seine automatisierte Steuerungssoftware, seine Autokalibrierungsroutinen und seine Testvorrichtung mit kundenspezifischen GaN-Testplatinen. Die Platinen integrieren Gleichstrom-Zwischenkreis- und Entkopplungskondensatoren, kundenspezifische Gate-Treiber, Sondenanschlüsse, Kalibrierkonstanten und eine Klemmschaltung für dynamische Drain-Source-Durchlasswiderstandsmessungen (Rds(on)). Die wiederholbaren und zuverlässigen GaN-Charakterisierungstechnologien (R2GC) von Keysight berücksichtigen zudem die Strommessung, den Geräteanschluss und austauschbare Gate-Widerstände.
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Siehe Blockdiagramm der GaN-Doppelimpuls-Charakterisierungslösung

Wie man die Schaltleistung von GaN charakterisiert

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