Comment caractériser les performances de commutation du GaN

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Analyseur de dispositifs de puissance dynamique / testeur à double impulsion
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Caractérisation du comportement de commutation rapide du GaN

Le test à double impulsion des dispositifs de puissance en nitrure de gallium (GaN) exige la maîtrise des éléments parasites des boucles de puissance, de grille et de liaison CC, tout en capturant les transitions rapides de tension et de courant générées lors de la commutation. Le dispositif de mesure combine un circuit de commutation inductif, une commande de grille, une mesure d'inductance de charge, des mesures de tension et de courant, ainsi que des connexions avec le dispositif testé. Ces connexions présentent des éléments parasites suffisamment faibles et une bande passante de mesure adaptée aux signaux de commutation du GaN.

Lors du test, deux impulsions de grille établissent le courant requis et enregistrent le comportement d'amorçage et de blocage du dispositif. Les formes d'onde de tension, de courant et de grille permettent ensuite de caractériser le comportement de commutation et les paramètres dynamiques associés. La caractérisation du GaN peut également inclure la mesure de la résistance à l'état passant drain-source (Rds(on)), où un circuit de limitation rapide permet de mesurer la faible tension de drain à l'état passant après la transition de commutation.

Solution de caractérisation à double impulsion GaN

Le test à double impulsion des transistors GaN exige un circuit de commutation à faibles parasites ainsi que des mesures de tension et de courant à large bande passante capables de capturer des transitions de commutation rapides. L'analyseur de dispositifs de puissance dynamique/testeur à double impulsion Keysight combine son instrumentation, ses sondes, son système de sécurité, son logiciel de contrôle automatisé, ses routines d'auto-étalonnage et son dispositif de fixation avec des cartes de test GaN personnalisées. Ces cartes intègrent des condensateurs de liaison CC et de découplage, des pilotes de grille personnalisés, des connexions de sondes, des constantes d'étalonnage et un circuit de limitation pour les mesures dynamiques de la résistance à l'état passant drain-source (Rds(on)). Les technologies de caractérisation GaN répétables et fiables (R2GC) de Keysight prennent également en charge la détection de courant, la connexion des dispositifs et les résistances de grille remplaçables.
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