W8615EP BSIM6 模型產生

• 統包式萃取流程– 提供完整的全域模型逐步萃取流程，用於擬合 DC、CV 和散射參數量測
• 可完全客製– 萃取流程可完全客製，以便與使用者特定參數萃取策略緊密結合
• 簡單易用– 方便易用的圖形介面，加上傳承是德科技領先業界的 SPICE 模型萃取套件的設計理念，提供各種可顯著增進生產力的功能

BSIM6 是半導體產業的最新基板（bulk）MOSFET 標準模型。不同於先前的版本（BSIM3 和 BSIM4），BSIM6 使用一種更偏向物理表面電位/電荷的開發方法，但它與 PSP 和 HiSIM2 這兩個業界標準基板模型有若干共同點。跟 BSIM4 相比，BSIM6 的主要優點在於它能夠在零漏源偏壓周圍保持對稱的輸出特性。對於在電路運作期間，漏源偏壓跨越零點的特定應用（例如被動式交換器）而言，這已經變成一項重要的要求。

W8615EP BSIM6 模型產生軟體提供完整的、統包式模型萃取解決方案。此軟體以實體全域萃取策略為基礎進行開發。W8615EP 產品包含兩個模組，分別是基頻（DC 和 CV）模型萃取模組，以及射頻模型萃取模組。基頻萃取模組在模型建構軟體（MBP）上運作，可善用經最佳化、可有效處理大量元件的 CMOS 專用萃取基礎設施的優點，同時監控各種可擴充性趨勢，並且因應頻繁的迭代萃取迴路需求。射頻模型萃取模組則在 IC-CAP 元件建模軟體上執行，此軟體是 20 多年來廣受業界肯定的射頻建模平台。兩種模組都可完全客製，因此使用者可輕鬆將特定的模型萃取策略（例如解嵌入方法、萃取步驟及順序等），整合到現有的模型萃取流程中。

產品需求

執行 BSIM6 模型產生軟體時，需要 W8501EP/ET IC-CAP 環境、W8502EP/ET IC-CAP 模擬與分析軟體，以及 W8601EP/ET MBP 核心環境，或 W8625BP/BT MBP/IC-CAP 軟體。