W8555EP IC-CAP HiSIM-HV 模型萃取軟體套件

• 使用多種方法萃取 HiSIM_HV 的直接、定電壓和射頻參數，用於建立 MOS/CMOS 高頻效應的模型
• 穩健、直接的萃取程序，可找出最佳化器的最佳初始值，避免進行過多的最佳化和調整
• 靈活、客製的萃取流程
• Windows 風格的資料圖像化、最佳化和調整
• 萃取產品套件中的共享操作介面環境，可用於其他產業標準模型，包括： BSIM3、BSIM4、BSIMSOI4、PSP 和 HiSIM2。通用量測模組讓您能夠從量測結果中萃取前述模組的任何一個模型

W8555EP IC-CAP HiSIM-HV 模型萃取軟體套件為直流和定電壓模型參數，提供完整的量測和萃取程序。直覺的 Windows 風格操作介面，讓工程師能快速產出準確的模型。

另外還提供W8560EP IC-CAP Hisim2 和 HiSIM_HV 萃取產品，包括 HiSIM2.4 和 HiSIM_HV 模型萃取軟體套件。

HiSIM_HV 是日本廣島大學開發的產業標準 HVMOS 模型。早期的小型模型，例如 BSIM4，主要是為數位應用中的傳統對稱式低電壓 CMOS 元件而開發，而 HiSIM_HV 模型則是為對稱式 HVMOS 和非對稱式 LDMOS 元件而開發。橫向擴散 MOS（LDMOS）元件可用於射頻功率應用。HiSIM_HV 模型包括其他典型高電壓效應（例如漂移區電阻的建模）、準飽和效應和自熱效應。