HIGHLIGHTS

W8551EP IC-CAP HiSIM 模型萃取軟體套件為直流、定電壓和射頻模型參數,提供完整的量測和萃取程序。直覺的 Windows 風格操作介面,讓工程師能快速產出準確的模型。

HiSIM2 是日本廣島大學開發的產業標準先進表面電勢(surface potential)模型。早期的小型模型,例如 BSIM4,主要是為數位電路而開發,然而用於較小技術節點的電路和射頻應用時,有其局限性。HiSIM2 模型可計算元件的表面電勢,進而更準確地描述深度次微米的物理現象,並且更準確描述內部電流和電荷。

  • 使用多種方法萃取 HiSIM v2.5.1 模型的直流、定電壓、射頻參數,可用於建立 MOS/CMOS 高頻效應模型
  • 穩健、直接的萃取程序,可找出最佳化器的最佳初始值,避免進行過多的最佳化和調整
  • 靈活、客製的萃取流程
  • Windows 風格的資料圖像化、最佳化和調整
  • 與萃取軟體套件共用相同的操作介面環境,以支援 BSIM3、BSIM4、BSIMSOI4、PSP 和 HiSIM_HV 等其他產業標準模型。通用量測模組讓您能夠從量測結果中萃取前述模組的任何一個模型

Free Trials

PathWave 元件建模(IC-CAP)軟體

  • 目前與先前的軟體版本
  • Hotfix 修正檔、修補程式以及外掛軟體
  • 安裝與授權指南

Extend the capabilities for your IC-CAP HiSIM 模型萃取軟體套件

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