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IC-CAP 支援以下場效電晶體（FET）模型。
| 模型 | 產品簡介 |
|---|---|
| Keysight EEFET3、Keysight EEHEMT1、Curtice 立方式和二次式、 Raytheon 的 Statz | 適用於前述支援模型的完整量測與萃取程序。 |
| Keysight Root FET、MOS 與二極體 | 在元件運作範圍內對 S 參數和直流資料陣列進行內插法樣條擬合，可自動完成直流與射頻 3 端應用的建模程序，此授權也包含對 Keysight Root 二極體與 MOS 模型的萃取。 |
| Angelov-GaN | 適用於 Angelov-GaN 模型的統包式準確量測和萃取解決方案 |
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