W8524BP IC-CAP CMC GaN RF 建模套件附加程式

W8524BP IC-CAP CMC GaN RF 建模套件附加程式為 GaN 元件建模，提供 2 個基於實體模型的萃取流程。緊湊模型聯盟（CMC）於 2017 年將這兩種模型納為產業標準。

• 高電子遷移率晶體管進階 Spice 模型，又稱為 ASM-HEMT 模型
• MIT 虛擬源 GaN 模型，又稱為 MVSG_CMC 模型

這兩個模型專為高頻（RF）與高壓（功率電子）應用而建構。 GaN 製程的開發人員可利用這些實體模型，獲得更深入的見解與分析。舉例而言，製程工程師可了解增加遷移率或降低接觸電阻，對提高整體功率放大器效率的好處。如此一來，藉由最佳化實體元件建模參數，工程師可改善晶圓廠製程，進而提升電路與系統效能。

PathWave 元件建模（IC-CAP） 2020 軟體套件的射頻 GaN 工具套件提供簡單易用的操作介面，是進行 ASM-HEMT 與 MVSG 模型參數萃取的利器。現在，您可在單一平台上進行量測，並將資料導入 IC-CAP 平台以萃取模型參數，然後將產生的模型卡匯出到先進設計系統（ADS），或可執行這些模型的其他模擬器中。此工具套件提供兩個範例流程：一個用於 MVSG，另一個用於 ASM-HEMT。

如何找出正確的參數組合而讓模型資料吻合量測資料，仍是門大學問。但更艱鉅的挑戰是，如何推導出一套萃取方法，或是建立一連串的參數調整步驟。為新模型開發一個新的萃取流程，可能耗時 6 個月或更久。建模工程師需探索並隔離每個參數的效應，以找出匹配的最佳資料。工程師通常知道，在模型參數萃取流程的早期階段，即便一點小錯誤，也可能導致整個流程出現擬合（fit）準確度問題，因而功虧一簣。有了 IC-CAP 中的射頻 GaN 工具套件，建模工程師可充分善用各種萃取方法，並且自信地使用這些模型快速開始工作。

下面的圖 1 顯示，功能強大的 UI 使得建模工程師能夠專注於萃取流程，無需擔心參數的記錄、資料的描繪等等任務。

圖 1：DC-CV-Spar-Modeling 最終擬合。

建模工程師可選擇不同群組的參數，以便將注意力集中在選定的主題上，同時他們也可以更精密地選擇清單所列的參數。同樣地，他們可以選擇不同的圖表，來呈現每個參數的效應。在最上方區域，工程師可選擇將選定的參數最佳化或調整。

產品套件

W8524BP IC-CAP CMC GaN 射頻建模軟體套件附加程式需要搭配使用下列產品：

• W8501EP IC-CAP 核心環境
• W8501EP IC-CAP 模擬與分析

另外，W8525BP IC-CAP CMC GaN 建模軟體套件包括下列產品，可讓您快速上手：

• W8525BP IC-CAP CMC GaN 射頻建模軟體套件附加程式
• W8500BP IC-CAP 元件建模平台軟體套件

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