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Keysight W7020E PathWave IC-CAP DynaFET Extraction 授權包含一個專用的 UI 工具套件，用於驅動是德科技 DynaFET 模型（適用於 GaN 和 GaAs HEMT 元件）進行量測，並執行萃取程序。
產品特性
W7020E PathWave IC-CAP DynaFET 建模套件包括：
- 統包式套件，包括先進的直流和 S 參數量測控制、神經網路訓練，以及驗證功能
- 可與 NVNA S94522B 任意負載控制軟體搭配使用
- 可對 GaN 元件的動態自發熱效應和陷捕效應進行建模
- 與 NeuroFET 相比，在整個運作範圍內，元件的寬頻效能與頻率關係獲得了改善
- 與 NeuroFET 相比，可更準確地預測大信號非線性度（失真、負載拉移、PAE）和長期記憶效應
- 透過 Verilog-A 支援 PathWave 先進設計系統（ADS）和其他模擬器
是德科技 DynaFET 模型展現了元件建模領域的重大創新。 它可對 III-V FET 的關鍵動態現象（如汲極延遲、電流崩潰和閘極延遲）進行建模，包括動態自發熱和陷捕效應。
DynaFET 採用新穎的模型辨識程序，透過大信號波形資料辨識（萃取）陷阱狀態和接點溫度，然後推導出這些動態變量與元件電氣特性之間的耦合關係。 和 NeuroFET 一樣，DynaFET 也使用人工神經網路（ANN）來描述元件電荷和電流，但其公式包括元件溫度和電荷陷捕狀態，作為神經網路的額外輸入。 精密的機器學習演算法，藉由使用不同環境溫度下的直流、S 參數和大信號波形量測資料，對神經網路進行訓練。 使用是德科技非線性向量分析儀（NVNA），在不同的溫度、直流工作點、功率位準和負載阻抗下，以低基頻（100 MHz）量測非線性波形資料。
DynaFET 模型適用於高效功率放大器、雷達應用，以及 GaN 和 GaAs FET/HEMT 的低雜訊放大器。 它不適用於切換或被動混頻器應用。
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