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W7020E PathWave IC-CAP DynaFET 모델 생성
키사이트 인공 신경망 기반 모델인 DynaFET를 채택하고 있는 GaN 및 GaAs HEMT RF 디바이스 모델링
W7020E PathWave IC-CAP DynaFET Extraction 라이센스에는 GaN 및 GaAs HEMT 디바이스에 대한 키사이트 DynaFET 모델의 측정을 수행하고 추출 절차를 실행하는 데 사용되는 전용 UI 툴킷이 포함됩니다.
주요 특징
W7020E PathWave IC-CAP DynaFET 모델 생성 포함 사항:
- 원스톱 패키지에는 고급 DC 및 S-파라미터 측정 컨트롤, 신경망 교육 및 검증이 포함되어 있습니다
- NVNA S94522B 임의 부하 제어 소프트웨어와 함께 작동
- GaN 디바이스의 동적 자가 치유 및 트래핑 효과 모델링
- NeuroFET에 비해 전체 디바이스 작동 범위에서 광대역 성능 대 주파수 개선
- NeuroFET에 비해 대신호 비선형성(왜곡, 로드-풀, PAE) 및 장기 메모리 효과 예측 개선
- Verilog-A를 통해 PathWave 고급 설계 시스템(ADS)과 기타 시뮬레이터 지원
키사이트 DynaFET 모델은 디바이스 모델링의 또 다른 중요한 혁신입니다. 이 모델은 드레인 지연, 전류 붕괴 및 게이트 지연과 같은 필수적인 III-V FET 동적 현상을 유발하는 동적 자가 치유 및 트래핑 효과를 모델링합니다.
DynaFET는 새로운 모델 식별 절차를 사용해서 대신호 파형 데이터에서 트랩 상태와 접합 온도를 식별(추출)하고 디바이스의 전기 동작에 대한 이러한 동역학 변수의 세부적인 커플링을 유도합니다. 또한 NeuroFET와 마찬가지로 DynaFET는 인공신경망(ANN)을 사용해서 디바이스 전하와 전류를 설명하지만, 제형에는 신경망에 대한 추가 입력으로 디바이스 온도 및 전하 트래핑 상태가 포함됩니다. 정교한 의학 학습 알고리즘이 다양한 외기 온도에서 DC, S-파라미터 및 대신호 파형 측정 데이터를 사용해서 신경망을 트레이닝합니다. 다양한 온도, DC 작동 지점, 전력 수준 및 부하 임피던스에 대해 낮은 원천 주파수(100 MHz)에서 키사이트 비선형 벡터 분석기(NVNA)를 사용해서 비선형 파형 데이터가 측정됩니다.
DynaFET 모델은 GaN 및 GaAs FET / HEMT의 고효율 전력 앰프, 레이더 분야 및 저노이즈 앰프에 적용됩니다. 스위칭 또는 패시브 믹서 분야에는 적용되지 않습니다.
역량확대
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