何をお探しですか？
W7020E PathWave IC-CAP DynaFETモデル作成
キーサイトの人工ニューラルネットワークに基づいたモデル、DynaFETを用いたGaNおよびGaAs HEMT RFデバイスのモデリング
スタート価格:
W7020E PathWave IC-CAP DynaFET Extractionライセンスには、測定をドライブし、GaNおよびGaAs HEMTデバイス用のKeysight DynaFETモデルを抽出する手順を実行するための専用のUIツールキットが含まれています。
ハイライト
W7020E PathWave IC-CAP DynaFETモデル作成には、以下の特長があります。
- DCおよびSパラメータの高度な測定制御、ニューラル・ネットワーク・トレーニング、検証を含むワンストップパッケージ
- NVNA S94522B 任意負荷制御ソフトウェアとの連携動作
- GaNデバイスの動的な自己加熱効果およびトラッピング効果のモデリング
- NeuroFETと比較して、デバイス動作範囲全体にわたる広帯域性能の周波数特性が向上
- NeuroFETと比較して、大信号の非線形性（歪み、ロードプル、PAE）および長期メモリ効果の予測が向上
- Verilog-Aを介してPathWave Advanced Design System(ADS)などのシミュレータをサポート
Keysight DynaFETモデルは、デバイスモデリングにおけるもう1つの重要なイノベーションを表しています。 ドレインラグ、電流コラプス、ゲートラグなどの動的な現象が原因で発生する、III-V FETの重要で動的な自己加熱効果やトラッピング効果をモデリングします。
DynaFETは、新しいモデル特定手順を使用して大信号波形データからトラップ状態やジャンクション温度を特定（抽出）し、デバイスの電気的動作に対するそれらの動的変数の詳細な結合を導き出します。 NeuroFETと同様に、DynaFETもANN（人工ニューラルネットワーク）を使用してデバイスの電荷量と電流を記述しますが、その定式化には、ニューラルネットワークに対する追加入力としてデバイスの温度と電荷トラップ状態が含まれています。 高度な機械学習アルゴリズムが、さまざまな環境温度でのDC、Sパラメータ、大信号波形測定データを使用してネットワークをトレーニングします。 さまざまな温度、DC動作ポイント、パワーレベル、負荷インピーダンスの非線形波形データの測定は、Keysightノンリニア・ベクトル・アナライザ(NVNA)により低い基本周波数(100 MHz)で行われます。
DynaFETモデルは、GaNおよびGaAs FET/HEMTの高効率パワーアンプ、レーダーアプリケーション、低雑音アンプに適用されます。 スイッチングやパッシブミキサーのアプリケーションはカバーしていません。
機能の拡張
ご要望、ご質問はございませんか。