影片
只有精准的器件模型才可以保證精准的电路仿真結果，加速产品上市。
隨著半导体器件尺寸的缩小，越来越多的工艺使用binning模型的方式，与传统的global模型相比，binning模型可以提供更高的精度，但它同时带来了QA的问题。
在整個半导体工艺的开发周期内，每次spec修改都需要重新建立模型，我们将会介绍如何用重定位(re-centering)的方法快速完成器件模型的更新。与传统建模方法相比，使用re-centering可以节省70%以上的时间。
過去十年，氮化镓（GaN）已在多個行業領域產生了重大影響，比如射頻、電力電子方面。作為一種新的寬禁帶化合物半导体材料，GaN要使用起來，晶圓廠必須先完成器件的建模的工作。GaN在器件特性上由於具有陷阱特性(trapping effect)，因此也需要精准的模型描述該效果。針對這一專題，我們也會進行討論。
與會專家將分享他們在半导体器件建模领域的工程实践经验，探讨在实际项目中遇到的挑战与解决方案。
元件建模工程師、IC 設計工程師