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半導體器件模型是連接代工廠和IC設計公司之間的橋樑。器件建模，顧名思義就是對於器件或者電路的電學行為例如電流電壓關係，電容電壓關係以及S參數和頻率關係等等的一個數學描述。器件模型通過PDK的方式集成到模擬工具中，這樣IC設計工程師在電路設計軟體中調用的器件，才能包含了器件模型和版圖的資訊。只有精準的器件模型才可以保證精準的電路模擬結果，加速產品上市。
器件模型有很多種類型：緊湊模型 (Compact Model)，宏模型 (Macro Model)，Verilog-A模型等。隨著半導體器件尺寸的縮小，越來越多的工藝使用binning模型的方式，與傳統的global模型相比，binning模型可以提供更高的精度，但它同時帶來了QA的問題。
在整個半導體工藝的開發週期內，每次spec修改都需要重新建立模型，我們將會介紹如何用重定位(re-centering)的方法快速完成器件模型的更新。與傳統建模方法相比，使用re-centering可以節省70%以上的時間。
過去十年，氮化鎵（GaN）已在多個行業領域產生了重大影響，比如射頻、電力電子方面。作為一種新的寬禁帶化合物半導體材料， GaN要使用起來，晶圓廠必須先完成器件的建模的工作。GaN在器件特性上由於具有陷阱特性(trapping effect)，因此也需要精確的模型描述該效應。針對這一專題，我們也會進行討論。
與會專家將分享他們在半導體元件建模領域的工程實踐經驗，探討在實際專案中遇到的挑戰與解決方案。
裝置模型工程師、IC 設計工程師