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半导体器件模型是连接代工厂和IC设计公司之间的桥梁。器件建模，顾名思义就是对于器件或者电路的电学行为比如电流电压关系，电容电压关系以及S参数和频率关系等等的一个数学描述。器件模型通过PDK的方式集成到仿真工具中，这样IC设计工程师在电路设计软件中调用的器件，才能包含了器件模型和版图的信息。只有精准的器件模型才可以保证精准的电路仿真结果，加速产品上市。
소자 모델에는 Compact Model, Macro Model, Verilog-A 모델 등 다양한 유형이 있습니다. 반도체 소자 크기가 작아짐에 따라 점점 더 많은 공정에서 binning 모델 방식을 사용하고 있습니다. 기존 global 모델과 비교하여 binning 모델은 더 높은 정확도를 제공할 수 있지만, 동시에 QA 문제를 야기합니다.
전체 반도체 공정 개발 주기 동안, 사양(spec)이 변경될 때마다 모델을 다시 구축해야 합니다. 본 세션에서는 재중심화(re-centering) 방법을 사용하여 소자 모델 업데이트를 신속하게 완료하는 방법을 소개합니다. 기존 모델링 방법과 비교하여 재중심화(re-centering)를 사용하면 70% 이상의 시간을 절약할 수 있습니다.
지난 10년간 질화갈륨(GaN)은 RF 및 전력 전자와 같은 다양한 산업 분야에 상당한 영향을 미쳤습니다. 새로운 와이드 밴드갭 화합물 반도체 재료인 GaN을 사용하려면 웨이퍼 팹에서 먼저 디바이스 모델링 작업을 완료해야 합니다. GaN은 디바이스 특성에서 트래핑 효과를 가지므로, 이 효과를 정확하게 설명하는 모델이 필요합니다. 이 주제에 대해서도 논의할 예정입니다.
与会专家将分享他们在半导体器件建模领域的工程实践经验，探讨在实际项目中遇到的挑战与解决方案。
디바이스 모델링 엔지니어, IC 설계 엔지니어
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