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半导体器件模型是连接代工厂和IC设计公司之间的桥梁。器件建模，顾名思义就是对于器件或者电路的电学行为比如电流电压关系，电容电压关系以及S参数和频率关系等等的一个数学描述。器件模型通过PDK的方式集成到仿真工具中，这样IC设计工程师在电路设计软件中调用的器件，才能包含了器件模型和版图的信息。只有精准的器件模型才可以保证精准的电路仿真结果，加速产品上市。
デバイスモデルには、コンパクトモデル、マクロモデル、Verilog-Aモデルなど、多くの種類があります。半導体デバイスのサイズが縮小するにつれて、より多くのプロセスでbinningモデルが使用されるようになり、従来のグローバルモデルと比較して、binningモデルはより高い精度を提供できますが、同時にQAの問題も引き起こします。
半導体プロセス開発サイクル全体において、仕様変更のたびにモデルを再構築する必要があります。本稿では、re-centering（再センタリング）手法を用いてデバイスモデルの更新を迅速に完了する方法を紹介します。従来のモデリング手法と比較して、re-centeringを使用することで70%以上の時間を節約できます。
過去十年，氮化鎵（GaN）已在多個行業領域產生了重大影響，比如射頻、電力電子方面。作為一種新的寬禁帶化合物半導體材料， GaN要使用起來，晶圓廠必須先完成器件的建模的工作。GaN在器件特性上由於具有陷阱特性(trapping effect)，因此也需要精確的模型描述該效應。針對這一專題，我們也會進行討論。
参加する専門家は、半導体デバイスモデリング分野におけるエンジニアリングの実践経験を共有し、実際のプロジェクトで直面する課題と解決策について議論します。
デバイスモデリングエンジニア、IC設計エンジニア
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