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パラメータアナライザ
デバイス特性評価用オールインワンシステム
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電流／電圧アナライザ Keysight
デバイスの特性評価用IV測定システム
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パラメトリックテスト
パラメトリック検証用ウェハーレベルテストシステム
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パワーデバイスアナライザ／カーブトレーサ
Si、SiC、GaNデバイス向け高電力テスト
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フェムト/ピコアンペア計およびエレクトロメーター
超低電流および高抵抗測定用計測器
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ユニバーサル信号処理アーキテクチャ
シリコン開発向けリアルタイムプロトタイピングプラットフォーム
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低リークスイッチマトリクス
超低電流ルーティング向け高アイソレーションスイッチング
パラメータアナライザ
キーサイトのパラメトリック・アナライザは、単一の統合プラットフォームで包括的な半導体デバイス特性評価を提供します。高精度な電流-電圧（IV）および容量-電圧（CV）テスト、パルス測定、信頼性テストを組み合わせることで、これらのモジュラーシステムは、先進材料から高電力コンポーネントまで幅広いデバイスをサポートします。業界をリードする測定精度、柔軟な構成オプション、直感的なソフトウェア制御により、キーサイトのパラメトリック・アナライザは、デバイスの研究、開発、および認定を加速するのに役立ちます。選定でお困りですか？以下のリソースをご覧ください。
電流／電圧アナライザ
キーサイトの電流／電圧アナライザは、半導体デバイスの特性評価や材料研究に不可欠な、高精度で低ノイズのソース供給および測定機能を提供します。フェムトアンペアレベルの微小電流から高電圧スイープまで、幅広い電流・電圧レベルに対応するように設計されており、多様なアプリケーションにおいて精密で再現性の高い測定を実現します。 柔軟なマルチチャンネル構成と直感的なソフトウェア制御により、キーサイトのIVアナライザはデバイス開発、信頼性試験、プロセス最適化の加速を支援します。 選択にお困りですか？以下のリソースをご覧ください。
パラメトリックテストソリューション
キーサイトのパラメトリックテストソリューションは、高性能測定器と柔軟な自動化を組み合わせることで、初期開発から量産まで半導体デバイス評価を加速します。高精度な電流-電圧（IV）、容量-電圧（CV）、および信頼性テストを提供し、これらのスケーラブルなシステムは、デバイス性能の最適化、プロセス変動の監視、長期信頼性の確保に貢献します。ウェーハプローバや生産環境とのシームレスな統合のために設計されたキーサイトのパラメトリックソリューションは、今日の先進半導体技術に必要な精度、速度、効率を提供します。選定でお困りですか？以下のリソースをご覧ください。
パワーデバイスアナライザ
キーサイトのパワーデバイスアナライザ/カーブトレーサは、高電圧、高電流の半導体デバイスの評価と特性評価のために特別に設計されたソリューションです。高精度なソース供給、高速測定、包括的な解析を組み合わせることで、これらのシステムはパワートランジスタ、ダイオード、IGBT、およびSiCやGaNなどのワイドバンドギャップデバイスの重要なテストをサポートします。スケーラブルな電圧および電流範囲、統合された安全機能、直感的なソフトウェアにより、キーサイトのソリューションは開発を加速し、デバイスの信頼性を向上させ、生産テストを効率化するのに役立ちます。選定でお困りですか？以下のリソースをご覧ください。
フェムト/ピコアンメータおよびエレクトロメータ
キーサイトのフェムト/ピコアンメータおよびエレクトロメータは、先進材料および半導体デバイスにおける極めて低い電流、高い抵抗、低い電圧を測定するための業界をリードする感度を提供します。0.01 fAまでの測定機能と内蔵のグラフィカル解析により、これらの測定器は、リーク電流テスト、絶縁抵抗、超低電流特性評価などの要求の厳しいアプリケーションに対して、正確で安定したノイズ耐性のある性能を提供します。ベンチトップおよびシステム統合の両方のために設計されたキーサイトの高精度エレクトロメータは、研究、デバイス開発、および品質保証を加速するのに役立ちます。選定でお困りですか？以下のリソースをご覧ください。
ユニバーサル信号処理アーキテクチャ
キーサイトのユニバーサル・シグナル・プロセッシング・アーキテクチャ（USPA）は、超高速のアプリケーション固有のプロトタイピングと検証のための、高性能でモジュラー型、完全にプログラム可能なリアルタイム環境を提供します。業界をリードするADC3およびDAC3データコンバータとFPGAベースのデジタル信号処理を中心に構築されたUSPAプラットフォームは、エンジニアが設計を迅速に反復および検証できるようにし、リスク、開発時間、コストを削減します。SoC/ASICプロトタイピング、6G、光通信、レーダー、高度な物理学研究にわたるアプリケーションをサポートします。選択にお困りですか？以下のリソースをご覧ください。
低リークスイッチマトリクス
キーサイトの低リークスイッチマトリクスは、超低電流測定と高絶縁性能を要求する自動半導体テストのために設計されています。フェムトアンペアレベルでの信号完全性を維持するように設計されており、これらのスイッチマトリクスは、測定精度を損なうことなく、複数のデバイスまたはテストノード間でのシームレスな切り替えを可能にします。柔軟な構成、コンパクトなフォームファクタ、およびキーサイトのアナライザとの容易な統合により、パラメトリックテスト、信頼性研究、ウェーハレベル特性評価に最適です。選定でお困りですか？以下のリソースをご覧ください。
高電圧ダブルパルステストについて
次世代パワーデバイスの検証には、極限条件下で高速スイッチング、高精度なタイミング、堅牢な安全性を提供するツールが必要です。キーサイトのパワーデバイスアナライザ/カーブトレーサは、SiCおよびGaNトランジスタの動的特性評価のために特別に設計されており、スイッチング損失、動的オン抵抗、寄生効果の正確な測定を可能にします。完全に統合された制御、内蔵の保護機能、高電圧機能を備えているため、エンジニアは実際のストレス条件を再現し、パワーコンバータの開発を安全かつ確実に加速できます。
お客様の半導体テストソリューションに対応するソフトウェアとアクセサリを探す
さまざまなテスト、制御、アプリケーション固有のソフトウェア、または低リーク・ケーブル、トライアキシャル・コネクタ、シールド・スイッチ・エクステンダ、ウェハ・プローブ・インタフェースなどのアクセサリからお選びいただけます。
半導体ユースケースを探る
半導体ソリューションは、さまざまな業界の幅広いアプリケーションをサポートしています。そのすべてをご覧ください。
半導体
ダブルパルス試験によるWBG半導体の特性評価。
半導体
真のパルス絶縁プローブ技術を使用したWBG半導体パワーモジュールの特性評価。
半導体
ソースメジャーユニットによる低消費電力ICの特性評価。
半導体
ソース/メジャーユニットを使用したIV LED特性の評価。
半導体
抵抗測定時の誤差誘発要素の排除。
サービスとサポート
厳選されたサポートプランと、優先的な対応および迅速なターンアラウンドタイムにより、迅速なイノベーションを実現します。
予測可能なリースベースのサブスクリプションとフルライフサイクル管理ソリューションにより、ビジネス目標をより迅速に達成できます。
KeysightCareのサブスクライバーとして、コミットされた技術サポートなど、より質の高いサービスをご体験ください。
テストシステムが仕様どおりに動作し、ローカルおよびグローバルな標準に準拠していることを保証します。
社内での講師主導トレーニングやeラーニングにより、迅速に測定を実施できます。
キーサイトのソフトウェアをダウンロードするか、最新バージョンにアップデートしてください。
よくあるご質問
半導体テストは、それぞれに独自の要件を持つ幅広いデバイスに及びます。これには、トランジスタ（例えば、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）や絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT））などの基本コンポーネント、ダイオード、整流器、エネルギー変換に使用されるパワーデバイスが含まれます。アナログおよびデジタル両方の集積回路（IC）も、性能と信頼性を確保するために精密な電気的特性評価を必要とします。さらに、センサー（温度、圧力、光センサーなど）は、その感度とアプリケーション固有の要件のため、特殊なテストセットアップを必要とします。
先進材料の台頭により、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体は、高出力および高周波アプリケーションでますます重要になり、より洗練されたテストアプローチが必要とされています。これらのデバイスカテゴリはそれぞれ、独自の電気的および物理的挙動を持っています。例えば、ナノアンペアまたはピコアンペアレベルのリーク電流、電圧による容量変化、または高電圧ブレークダウン特性などです。したがって、電流-電圧（I-V）挙動、容量、リーク、スイッチングダイナミクス、および幅広い環境および動作条件下での信頼性を正確に捉えるためには、特殊なテスト/測定ソリューションが不可欠です。
多くの半導体デバイス、特に低消費電力、高精度、または次世代アプリケーションで使用されるものは、極めて小さな電流レベル（時にはフェムトアンペア（fA）またはピコアンペア（pA）の範囲）で動作します。このようなスケールでは、テストシステム自体からの微量のリーク電流や浮遊電気干渉でさえ結果を歪め、不正確な特性評価につながる可能性があります。低リーク・スイッチ・マトリクスは、被試験デバイスの真の挙動を隠してしまう可能性のある不要な電流を最小限に抑えるように設計されており、高絶縁測定パスは信号間のクロストークやノイズ結合を防ぎます。これらの機能は、センサーのような高感度デバイスの特性評価、先進的なワイドバンドギャップ材料（SiC、GaN）のテスト、または安定した再現性のある測定が不可欠な長期信頼性およびストレス試験を実施する上で特に重要です。低リークおよび高絶縁性能がなければ、エンジニアはデバイス特性について誤った結論を導き出すリスクがあり、設計品質、安全性、およびアプリケーション標準への準拠に影響を与える可能性があります。
半導体デバイスの特性評価には、通常、特定の電気的または物理的パラメータを対象とする一連の補完的な測定技術が用いられます。電流-電圧（I-V）測定は基礎を形成し、広い電圧範囲にわたる伝導、しきい値電圧、リーク挙動、およびブレークダウン特性に関する洞察を提供します。容量-電圧（C-V）測定も同様に重要であり、ドーピング濃度プロファイル、酸化膜品質、および接合特性に関するデータを提供します。パルス測定は、デバイスの劣化を防ぎながら動的挙動を捉えるために短時間のエネルギーバーストを供給するため、高出力または熱に敏感なデバイスによく採用されます。
高温動作寿命（HTOL）、熱サイクル、バイアス温度不安定性（BTI）評価などの信頼性ストレス試験技術は、長期動作をシミュレートし、潜在的な性能劣化メカニズムを特定するために使用されます。場合によっては、ターゲットアプリケーションに応じて、過渡応答解析、時間依存誘電破壊（TDDB）、無線周波数（RF）特性評価などの高度な手法も必要とされます。これらの技術を組み合わせることで、半導体の性能、堅牢性、および展開への適合性について包括的な理解が得られます。
自動化は、現代の半導体テストの要であり、特に大量生産環境や複雑なマルチデバイス特性評価を扱う研究室において重要です。自動プローブステーション、ロボットハンドラ、ソフトウェア駆動のテストシーケンスを活用することで、組織はスループットを大幅に向上させ、オペレーターエラーを削減し、大規模なデータセット全体で一貫した測定再現性を確保できます。
自動化は、数百または数千のデバイスを一晩でテストできる無人ウェハプロービングや、パッケージデバイスの自動バッチテストなどの高度な機能もサポートします。信頼性テストでは、自動化により人間の介入なしに継続的な長期ストレス監視が可能になり、性能ドリフトの早期検出を保証します。さらに、自動化システムはデータ統合と分析を促進し、エンジニアが傾向を迅速に特定し、デバイスモデルを改善し、製品開発サイクルを加速することを可能にします。要するに、自動化は効率と生産性を向上させるだけでなく、大規模な品質管理と厳格な業界標準への準拠も保証します。
半導体業界は、新素材、高度なデバイスアーキテクチャ、および新たなアプリケーション要件によって推進される急速なイノベーションを特徴としています。効果を維持するためには、テストシステムは柔軟性と拡張性の両方を備えている必要があります。モジュラープラットフォームにより、エンジニアはシステム全体を交換することなく、スイッチング容量を拡張したり、新しい測定モジュールを追加したり、新たなテスト手法を統合したりできます。
例えば、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体が電気自動車や再生可能エネルギーシステムで普及するにつれて、テストシステムはより高い電圧、より高速なスイッチング、およびより厳しい熱条件に対応する機能を組み込む必要があります。同様に、次世代の通信およびコンピューティングデバイスでは、高速過渡解析と無線周波数（RF）テストがますます不可欠になっています。
適応性はソフトウェアにも及びます。最新のテストシステムは、開発ワークフローへのスムーズな統合を確実にするために、進化する標準、データ形式、および自動化フレームワークをサポートする必要があります。拡張性とアップグレード可能性を維持することで、半導体テストシステムは、デバイスとアプリケーションの継続的な進化に対応しながら、投資価値を保護します。