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B1511B ソース／メジャート・ユニット（SMU）
ソース／メジャート・ユニット（SMU）
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B1500AのSMUは、4象限電圧／電流源と測定機能を内蔵し、0.1 fA～1 A/0.5 µV～200 Vの範囲の正確なIV測定を実現します。また、スポット測定、掃引測定、パルス・サンプリング測定、QS-CV測定をサポートしています。
HIGHLIGHTS
DC/時間依存測定に最適な信頼できる電流／電圧（IV）測定
- 4象限ソースと測定機能を備え、fA（フェムト・アンペア）までの正確な電流／電圧（IV）特性評価を実現
- 測定範囲：0.1 fA～1 A/0.5 µV～200 V
- 各種測定に対応するスポット／掃引／パルス／サンプリング測定機能
- 100 μsの最小サンプリング測定間隔
- 500 μsの最小パルス幅、2 μsの分解能
- 漏れ電流補正による準静的キャパシタンス／電圧（QS-CV）測定
サブfA/μVまでの分解能の低電流／電圧測定に対応する優れたDC測定性能
ソース／メジャート・ユニット（SMU）は、Keysight B1500A半導体デバイス・パラメータ・アナライザの重要な測定モジュールです。SMUは、電圧／電流源と測定機能を1つのモジュールに統合し、fA/μVの分解能で正確なDC電流／電圧（IV）測定を実現します。より高い測定性能が必要な場合は、オプションのASU（アト・センス／スイッチ・ユニット）により、低電流測定性能をサブfAレベルまで拡大することができます。
SMUは、準静的キャパシタンス／電圧（QS-CV）測定を実行することもできます。これは、低周波CV特性を得るための測定手法で、高周波CVとともに、トランジスタのゲートの表面状態を評価するのに重要です。Keysight B1500Aを使用すれば、漏れ電流補正により、確度の高いQS-CV測定を実現できます。
EasyEXPERTソフトウェアの解析／データ管理機能と同様に、B1500Aは、非常に高性能で、半導体、カーボン・ナノチューブ（CNT）やカーボン・ナノワイヤ（CNW）などのナノ・デバイス、アクティブ／パッシブ・コンポーネント、材料、正確で精密な電圧／電流測定が必要な電気機器の特性評価に有用です。
ハードウェア・クロックによる正確なタイミング制御による、パルス測定やサンプリング測定などの確度の高い時間依存特性評価
Keysight B1500AのSMUは、DC測定に加えて、パルス印加／サンプリング測定などの高度な時間依存測定機能を備えています。パルス／サンプリング測定機能は動的な特性を明らかにしたり捕捉するのに有効で、時間依存測定ではタイミング確度が極めて重要です。Keysight B1500AのSMUを使用すれば、ハードウェア・クロックによる正確なタイミング制御により、確度の高い測定を実現できます。最小サンプリング測定間隔は100 μsで、最小パルス幅は500 μsです。
Keysight B1500Aでは、以下の3種類のSMUが用意されているので、さまざまなテスト・ニーズに対応できます。
| SMUモデル | 主な特長と仕様 |
|---|---|
| B1510Aハイパワー・ソース／メジャー・ユニット（HPSMU） |
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| B1511Bミディアムパワー・ソース／メジャー・ユニット（ＭPSMU） |
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| B1517A高分解能ソース／メジャー・ユニット（HRSMU） |
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機能の拡張
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